600V高壓VDMOS器件導(dǎo)通電阻仿真優(yōu)化設(shè)計.pdf

1、垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管(VDMOS)器件具有高的輸入阻抗、高的開關(guān)速度、寬的安全工作區(qū)以及很好的熱穩(wěn)定性等特點,廣泛應(yīng)用于汽車電子、移動通信、雷達(dá)、馬達(dá)驅(qū)動、開關(guān)電源、節(jié)能燈等各種領(lǐng)域。本文的主要工作為自行設(shè)計一套適用于耐壓600V應(yīng)用環(huán)境的高壓大功率VDMOS器件,具有較小功率管導(dǎo)通電阻,并將設(shè)計的重心放在降低功率VDMOS的導(dǎo)通電阻和增加其電流能力上,并做優(yōu)化設(shè)計。本文的主要研究內(nèi)容如下。1.深入學(xué)習(xí)VDMOS的工作原理和物理機(jī)

2、理,研究VDMOS導(dǎo)通電阻的構(gòu)成及其與器件參數(shù)之間的關(guān)系,并通過計算機(jī)工藝模擬仿真,研究導(dǎo)通電阻與工藝條件和工藝參數(shù)之間的定量關(guān)系。在高壓VDMOS中(＞500V),導(dǎo)通電阻主要由高阻外延層的電阻值決定,并且與實際工藝條件有很大的關(guān)系。并在此基礎(chǔ)上,從半導(dǎo)體器件物理出發(fā),建立了導(dǎo)通電阻的物理解析模型,以此模型為指導(dǎo),結(jié)合設(shè)計指標(biāo)要求,設(shè)計并優(yōu)化器件的結(jié)構(gòu)參數(shù)。2.由器件的閾值電壓等參數(shù)出發(fā),初步確定了VDMOS元胞的部分結(jié)構(gòu)參數(shù);并在對