600V高壓電平移位電路的分析與設(shè)計(jì).pdf

1、半橋驅(qū)動(dòng)芯片是一類典型的高壓集成電路，它具有系統(tǒng)可靠性高、成本低、體積小、效率高、節(jié)能以及智能化等優(yōu)點(diǎn)，在高壓LED（發(fā)光二極管顯示器）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、中小功率逆變器、智能功率模塊等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。在這類芯片中都需要高壓電平移位電路實(shí)現(xiàn)電平的轉(zhuǎn)換，高壓電平移位電路性能的好壞直接影響到半橋驅(qū)動(dòng)芯片的穩(wěn)定性、功耗和抗干擾性能等。
　　本論文首先分析了高壓集成電路中的電平移位技術(shù)及半橋驅(qū)動(dòng)芯片中的電平移位電路，重點(diǎn)設(shè)計(jì)了抑制dv/dt噪

2、聲的高低電平轉(zhuǎn)換電路，完成了其dv/dt噪聲抑制方案實(shí)現(xiàn)原理的分析、電路性能分析與設(shè)計(jì)考慮、具體電路參數(shù)設(shè)計(jì)等工作，然后提出了一種用于600V半橋驅(qū)動(dòng)芯片中的、能夠抑制dv/dt噪聲的新型高壓電平移位電路。基于傳統(tǒng)的雙脈沖電平移位電路，本論文設(shè)計(jì)的共模噪聲消除電路采用PMOS管與電阻組成對(duì)稱電路結(jié)構(gòu)，通過PMOS管的開啟與關(guān)斷控制信號(hào)的傳遞，從而實(shí)現(xiàn)正常脈沖信號(hào)的傳遞和dv/dt共模噪聲信號(hào)的抑制。論文還對(duì)脈沖產(chǎn)生電路、脈沖濾波電路等相

3、關(guān)子模塊進(jìn)行了設(shè)計(jì)。整個(gè)電路仿真表明，與傳統(tǒng)dv/dt噪聲消除技術(shù)相比，這種新型電路不僅提高了芯片抗dv/dt噪聲能力，還提高了芯片耐VS靜態(tài)負(fù)壓能力，并能夠降低電路功耗。
　　本設(shè)計(jì)基于本實(shí)驗(yàn)室自主開發(fā)的700V1μmBCD工藝流片，測(cè)試結(jié)果表明本論文設(shè)計(jì)的高壓電平移位電路能使芯片抗dv/dt噪聲能力達(dá)到88V/ns，電路中高壓器件LDMOS能耐800V高壓，LDMOS飽和電流為16.4mA，電平移位電路的平均功耗(當(dāng)VB=61