700V高壓VDMOS器件設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、VDMOS功率場效應晶體管是國外80年代迅速發(fā)展起來的一種新型功率器件。具有開關速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、無二次擊穿等優(yōu)點，可用于AC/DC開關電源、激光電源、等離子電源、雷達電源、不間斷電源及電機調速等領域。在節(jié)能和國民經濟及軍用方面具有廣泛的前景及良好的社會經濟效益。目前VDMOS需要解決的主要問題是高耐壓下導通電阻大的問題。
　　 本文的研究目標是在特定高耐壓下盡量降低導通電阻，從而降低能耗。通過硅限理論確定了VDM

2、OS元胞的外延層摻雜、外延層厚度和特征導通電阻。通過Silvaco公司開發(fā)的TCAD軟件平臺，利用ATHENA物理模型工藝仿真工具對氧化、刻蝕、擴散、離子注入、薄膜淀積等進行VDMOS工藝虛擬制造，使用ATLAS器件特性仿真工具進行了VDMOS結構參數驗證。
　　 本文所設計的VDMOS擊穿電壓實際為800V，開啟電壓為1.2V，特征導通電阻為0.16Ω·cm2，達到設計要求。本文的研究內容對實現功率半導體器件及制備工藝的模擬設

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