2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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文檔簡介

1、VDMOS功率場效應(yīng)晶體管是國外80年代迅速發(fā)展起來的一種新型功率器件。具有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、無二次擊穿等優(yōu)點，可用于AC/DC開關(guān)電源、激光電源、等離子電源、雷達電源、不間斷電源及電機調(diào)速等領(lǐng)域。在節(jié)能和國民經(jīng)濟及軍用方面具有廣泛的前景及良好的社會經(jīng)濟效益。目前VDMOS需要解決的主要問題是高耐壓下導(dǎo)通電阻大的問題。
　　 本文的研究目標(biāo)是在特定高耐壓下盡量降低導(dǎo)通電阻，從而降低能耗。通過硅限理論確定了VDM

2、OS元胞的外延層摻雜、外延層厚度和特征導(dǎo)通電阻。通過Silvaco公司開發(fā)的TCAD軟件平臺，利用ATHENA物理模型工藝仿真工具對氧化、刻蝕、擴散、離子注入、薄膜淀積等進行VDMOS工藝虛擬制造，使用ATLAS器件特性仿真工具進行了VDMOS結(jié)構(gòu)參數(shù)驗證。
　　 本文所設(shè)計的VDMOS擊穿電壓實際為800V，開啟電壓為1.2V，特征導(dǎo)通電阻為0.16Ω·cm2，達到設(shè)計要求。本文的研究內(nèi)容對實現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件及制備工藝的模擬設(shè)

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