2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
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1、場(chǎng)阻型IGBT(Field-Stop IGBT, FS-IGBT)是近年來出現(xiàn)的一類非常重要的IGBT結(jié)構(gòu),FS層能實(shí)現(xiàn)通態(tài)損耗與器件耐壓以及通態(tài)損耗與開關(guān)損耗之間的良好折中,因此 FS型 IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。然而, FS-IGBT的核心技術(shù)都掌握在Infineon、Fairchild、Toshiba等國(guó)外大公司手里,目前市場(chǎng)上的產(chǎn)品基本都是由這些公司推出,國(guó)內(nèi)的IGBT商業(yè)化正處于起步階段, FS技術(shù)更是遠(yuǎn)

2、遠(yuǎn)落后于發(fā)達(dá)國(guó)家。
　　本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設(shè)計(jì)與制造方法,并通過和國(guó)內(nèi)某知名代工線合作,完成了器件制備和測(cè)試。論文圍繞600V平面柵 FS-IGBT的研制工作展開論述。
　　1、首先對(duì)IGBT原理及FS層的原理進(jìn)行分析討論,然后結(jié)合代工線的特點(diǎn),進(jìn)行了600V平面柵 FS結(jié)構(gòu)IGBT的工藝流程、元胞結(jié)構(gòu)與終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),最后完成版圖設(shè)計(jì)并進(jìn)行工藝流片。所設(shè)計(jì)的器件工藝流程為:先進(jìn)行器件背面的FS層

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