脫細(xì)胞腦組織基質(zhì)修復(fù)支架體外形態(tài)學(xué)和細(xì)胞相容性觀察.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、目的:觀察采用脫細(xì)胞技術(shù)初步研制出來的脫細(xì)胞腦組織基質(zhì)修復(fù)支架的形態(tài)結(jié)構(gòu),及其與神經(jīng)干細(xì)胞共培養(yǎng)時(shí)細(xì)胞的生長情況,為研制出理想的腦組織損傷修復(fù)支架提供初步的實(shí)驗(yàn)依據(jù)。 方法:①脫細(xì)胞腦組織基質(zhì)修復(fù)支架制各:運(yùn)用反復(fù)凍融、蛋白酶和 Triton X-100脫細(xì)胞,碳環(huán)氧化物交聯(lián)等方法處理成年SD大鼠皮層腦組織,初步制成脫細(xì)胞腦組織基質(zhì)修復(fù)支架。②修復(fù)支架材料的形態(tài)學(xué)觀察:分別通過光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡觀察修復(fù)支架材料表面的三維立體構(gòu)

2、型和內(nèi)部結(jié)構(gòu)特征。③免疫組化分析正常腦組織和修復(fù)支架材料內(nèi)細(xì)胞外基質(zhì)成分:通過免疫組化的方法對比正常腦組織和脫細(xì)胞修復(fù)支架材料中三種重要的細(xì)胞外基質(zhì)FN、LN和Col Ⅲ的含量和分布情況。④神經(jīng)干細(xì)胞與修復(fù)支架材料體外共培養(yǎng):取指數(shù)生長期的SD大鼠腦源性神經(jīng)干細(xì)胞,通過熒光染料DAPI標(biāo)記后與修復(fù)支架材料體外共同培養(yǎng),倒置相差熒光顯微鏡和掃描電鏡觀察神經(jīng)干細(xì)胞生長、增殖、分化以及與修復(fù)支架材料的粘附情況。 結(jié)果:①成年SD大鼠新

3、鮮腦組織經(jīng)脫細(xì)胞處理后,細(xì)胞成分已大部分去除,形態(tài)上具有高度仿生的三維立體孔洞結(jié)構(gòu),孔洞形態(tài)相似,孔徑大小相近,約90μm左右,親水性良好。經(jīng)碳環(huán)氧化物交聯(lián)過后,修復(fù)支架材料的生物穩(wěn)定性增強(qiáng),置于PBS包裝液中長期低溫保存,未出現(xiàn)降解。②免疫組化結(jié)果顯示,三種細(xì)胞外基質(zhì)在正常腦組織中含量相對偏少,且分布與文獻(xiàn)報(bào)道相符,但在修復(fù)支架材料中未檢測出來。③修復(fù)支架材料與神經(jīng)干細(xì)胞體外共培養(yǎng)時(shí),細(xì)胞可粘附于材料表面,但粘附力較弱,細(xì)胞生長良好,

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