酸腐多晶硅表面織構(gòu)及氮化硅薄膜快速熱處理性能的研究.pdf

1、太陽電池發(fā)展的主要趨勢是提高轉(zhuǎn)換效率和降低成本。多晶硅太陽電池是未來最有發(fā)展?jié)摿Φ奶栯姵刂?。為了提高多晶硅太陽電池的轉(zhuǎn)換效率，降低表面的光反射，增加光的有效吸收是十分必要的。如何獲得好的表面織構(gòu)化工藝是目前多晶硅太陽電池研究的重點。為此本文著重研究了酸腐多晶硅表面織構(gòu)工藝；并研究了快速熱處理對PECVD 氮化硅薄膜性能的影響。 采用掃描電鏡和光譜響應(yīng)系統(tǒng)研究了酸腐多晶硅表面織構(gòu)工藝。研究表明采用H2SO4和H3PO4 改良的

2、HF/HNO3 的混合酸腐蝕液能夠得到反射率很低的蠕蟲狀表面織構(gòu)。首次采用HF 和NaNO2 混合溶液用于腐蝕多晶硅片的表面織構(gòu)，獲得很好的效果。 采用橢圓偏振儀、原子力顯微鏡、光譜響應(yīng)系統(tǒng)研究了快速熱處理后PECVD 氮化硅薄膜性能的變化。當熱處理溫度小于650℃時，氮化硅的膜厚和折射率基本不變，當溫度增加時膜厚迅速減小，折射率迅速增大；在低于500℃退火時，隨溫度升高，少子壽命上升，高于500℃退火時，少子壽命急劇下降；氮化