亞硝酸腐蝕的多晶硅絨面結(jié)構(gòu).pdf

1、多晶硅太陽電池作為一種低成本、高效率、廣泛應(yīng)用的太陽電池會(huì)在未來較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持主流地位。在目前光伏市場(chǎng)產(chǎn)能過剩,價(jià)格下跌背景下,各太陽電池生產(chǎn)廠商均積極采措施,通過各種工藝改進(jìn)手段提高其多晶硅電池片的轉(zhuǎn)換效率。目前多晶硅電池表面制絨工藝優(yōu)化是提高電池轉(zhuǎn)化效率的有效方法之一,且成本較低。本論文對(duì)多晶硅片的表面結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究,提出現(xiàn)有工業(yè)化生產(chǎn)制絨工藝存在的問題,采用酸腐蝕液調(diào)節(jié)方法優(yōu)化多晶硅表面結(jié)構(gòu),以達(dá)到降低多晶硅表面反射率的目的。

2、r>　　工業(yè)上一般采用酸腐蝕工藝實(shí)現(xiàn)多晶硅表面絨面結(jié)構(gòu),主要是利用酸在多晶硅表面腐蝕是各向同性的,即不同晶面腐蝕速度相同。本文在上海神舟新能源多晶硅電池生產(chǎn)線上,研究了其HF-HNO3制絨工藝,發(fā)現(xiàn)目前工藝技術(shù)控制要求高,難度大,獲得的多晶硅表面反射率尚不理想。本文通過分析上海神舟新能源的多晶硅電池樣品的SEM圖,認(rèn)為普通制絨工藝得到的多晶硅電池表面陷阱坑淺而大,表面反射率高達(dá)31.8％以上。本文認(rèn)為需要對(duì)現(xiàn)有的HF-HNO3配方進(jìn)行改