氮化硅工藝表面顆粒污染的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、顆粒污染在晶圓的生產(chǎn)制造當(dāng)中是一種嚴重的缺陷，它可以導(dǎo)致電路開路或者短路。隨著器件線寬的越來越小，在亞微米級的工藝技術(shù)中，顆粒污染對產(chǎn)品良率的殺傷力越來越大，使器件的穩(wěn)定性大大降低，導(dǎo)致產(chǎn)品的報廢。使得人力，物力，財力的巨大損失。
　　LPCVD工藝可以獲得具有良好臺階覆蓋能力和高度均勻性的氮化硅薄膜。氮化硅薄膜制備作為集成電路制造工藝中重要的一個步驟，常常被用于淺槽隔離工藝(STI)和保護柵極的spacer的ONO等工藝中。在L

2、PCVD的氮化硅薄膜生產(chǎn)工藝中，由于生產(chǎn)過程中有應(yīng)力很高的氮化硅薄膜生成，而且薄膜的生產(chǎn)是在壓力和溫度的不斷變化中進行的，所以氮化硅制備工藝是半導(dǎo)體制造工藝中顆粒污染最難控制的工藝。因此，我們有了較大的可研究改進的空間。
　　本文以TEL公司生產(chǎn)的Alpha-8S-E垂直型LPCVD設(shè)備作為研究對象，以各設(shè)備組成部件和薄膜制備工藝作為研究基礎(chǔ)，分析出氮化硅生長工藝的主要顆粒污染的主要來源以及形成機理。提出了450℃purge，定期

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