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1、東南人學(xué)博士學(xué)位論文琶。791652表面加工多晶硅薄膜熱導(dǎo)率的在線測試研究國家“八六三”計劃MEMS重大專項“MEMS設(shè)計加工與封裝建模、模擬與IP庫”(2003AA404010)資助課題研究生姓名:盜高斌導(dǎo)師姓名:黃廢室夔援學(xué)科專業(yè)名稱:徽皇王堂與固體壘壬堂中圍南京東南大學(xué)MEMS教育部重點實驗室2004年10爿ABSTRACTPolysiliconthinfilmsarewidelyusedin^4EMSdevicesandlCsw
2、hichamimportantconstituentsofsuchmicromechanicalelementsThethermalparametersofthepolysiliconthinfilmssuchasthermalconductivitythermaldiffusivityandtemperaturecoefficientofresistance,depend曲n刪yonthefabricationprocessprodu
3、ctionenvironmenttheconcanastionmadtypeofdopantatomsandsoonwinchoredramaticdifferencefromthebulkrnsterialsinceitsheattransfermechanismdiffersubstantiallyfromthoseofbulksiliconStaticordynamicthermoeleutricalresponseofthese
4、MEMSdevicesCa!lbeestimatedifthethermalpⅢameterscanbemeasuredTherefore,itisextremelyimport∞tthatonlinetestingforthethermalparametersofthePOlysiliconthinfilmsfortheseMEMSdevicesInpracticalapplicstionsthethermoelectrical130
5、lametepsoftheMEMSdevicescannotbemeasuredirectlyTomeetonlinemonitoringasocalled“accompanyingelement’fabricatedwiththeMEMSdevicesmustbeplacedonthesamechipthatisthethennoelec:廿icalchma0蜘sticSofthe“accompanyingelemenf’msamea
6、stheMEMSdevicesmadthethermoeleclricalparametersoftheMEMSdevicescanbeobtainedbytestingthe‘a(chǎn)ccompanyingelement’Thereforeasimpleonlinemonitoringslluctureelementformeasl]岫唱thethermoelectricalpeaametershasbedesignedthemeastwe
7、mantshouldbesirnpleandadetailednumericalmalyticsolutionmustbe畫veILSteadystateandtransientstalemethodsarealsobeusedtomeasurethethermalparametersofpolysiliconthinfilmsHoweverthepmviousmethodsarenotsuitedforthecharacterizat
8、ionofthesHrfacemicrornae拙aedpolysiliconthinfilmssincemostmeasurementsmustbecroftedoutinvacuumenvironmenL111emeesurmentsandtheanalyticprocessarecomplicatedandrequiresoecialmicmmachinedstmcturesorspecialtestfixtureswhichma
9、kesthemdifficult協(xié)u駙inroutinewaferlevelmeasurementsWeproposedfabricatedandtestednoveld均矗扼枉—z甜onstructuresandmeasurementmethodforonlinetesling廿砣thermalconductivityofsurfacemicromacinnedpolysiliconthinfilmsinfffispapernefea
10、nlresofthemeasurementstructureare鋤alvzedthe柚alvticalmodelandmeasmementmethodarealsogiven11℃effectsofallheatexchangebyconvectionradiationandtheheatWmsfertttoughtheairgapandintothesubstratealecomideredinOL!relectrothermalm
11、odelmadallmeasurementscallbecapriedoutinfreeThetemperaturetoe岱cientofresistancemustbeknownbeforeextrx2jIlgthethermalconductivityandsothemicrobeamsarmgedonthesameonlinelestchipweredesignedandllsingparameterfittinganalysis
12、oftheexperiment/VcuⅣesofthebeamanditstransientstatecoolingd碡翰c0州s廿csthelineartempematrecoefficientandthequadratic把nmeJ咖retoe塌cientcallbeoblainedThethermaldiffusivityofstRfacerincromechinedpolysiliconthinfilmsisproposedal
13、soUsingtwopolysiliconimcmbeamswithsamewidthand畦aicknessbutvarletlengththethanaaldi伍JsKitycanbeexaactedfromthetimedependenceofthetwothermalresistancescoolinginfreeairAIIourmeasmemantsc齜bec硎edoutinfreeairwhilevlctltll/1tes
14、th嚷circumstancearenotrequiredneonIinetestsm|cturesfabricatedwithsurfacemicromacheddevicesmadnoadditionalmaskisrequiredaleimplemented簽aMEMStestchipcalled‘‘M刪:andsoitcanmeettheonlinemonitoringforthe№Msdevicesdes研anditspruc
15、essin島sothatitcanbewidelyusedinMEMSprocesstestingandmaterialpropertyexlractionKeywordsPolysiliconthinfilms,surfacemieromaeinningprocess,thermalconductivitytemperaturecoefficientofresistancethermaldiffusivityonlinetesting
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