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1、河北大學碩士學位論文納米硅氮化硅薄膜微結(jié)構(gòu)特性研究姓名：齊文皓申請學位級別：碩士專業(yè)：光學指導教師：丁文革；于威200906AbstractAbstractSiliconrichhydrogenatedsiliconnitridethinfilms(aSiNx：H)aredepositedbyheliconwaveplasmaenhancedchemicalvapordeposition(HWPCVD)techniqueTheinflu
2、enceofthethermalannealingonthemicrostructuremodificationandopticalabsorptionpropertiesofsiliconnanoparticles(SiNPs)embeddedinsiliconnitridethinfilms(SiNPs／SiNx)aremainlyconcernedThestructuralcharacterizationandopticalabs
3、orptionpropertiesofthefilmsareanalyzedbyRamanscatteringspectraFouriertransforminfraredspectroscopy(FTIR)，AtomForceMicroscope(AFM)，opticalabsorptionandphotoluminescence(PL)spectraThemicrostructureofthinfilmpropertiesarein
4、vestigatedindetail，andalsoinvestigateabasisforthefuturethermalannealingcontrollinganddeviceapplicationsofaSiNx：HfilmsThefilmswiththeSiNPs／SiNxstructureareobtainedatlowtemperaturebycontrollingtheHWPCVDconditionsThesilicon
5、nanocrystalsthinfilmswithembeddedstructurearesynthesizeddirectlybycontrollinghydrogendilutedamountproperlyinreactantgasandthemodificationroleisrevealedtothemicrostructureofthefilmsbyintroducinghydrogeninthereactantIthasb
6、eenshownthatthehydrogendilutionisbeneficialtonotonlyenhancingstructureorderdegreeandSiNPscrystallinitybutalsodecreasingdensityofdefectstatesInthedifferentenvironment(N2、FG一10％H2and90％N2、H2)at800℃，theeffectofthermalanneal
7、ingonthemicrostructureofSiNPs／SiNxthinfilmsisanalyzedTheresultsshowthatthedensityofdefectstatesandstructuredisorderdegreeincrease，andtheopticalbandgapdecreasesTheannealingprocessinducesthedecreaseofSiHandNHbindingdensiti
8、esHoweverthephasetransitionfromamorphoustonanocrystallineSiNPsisnotachievedafterthermalannealingTheeffectofRapidPhotothermalannealing(RPTA)onthemicrostructureofSiNPs／SiNxthinfilmsisinvestigatedTheRamanspectroscopyshowsth
9、ecrystallizationofamorphousSiNPsafterRPTAtreatmentatthelowerannealingtemperature(700℃)ThestrongtunablevisiblePLatroomtemperatureisobtainedfromSiNPsduetotheQCEbyadjustingthereactiongasflowratiothroughtheRPTAKeywordssilico
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