酸腐蝕液調(diào)節(jié)多晶硅表面結(jié)構(gòu)的研究.pdf

1、多晶硅在光電子器件上有廣泛的用途，多晶硅表面結(jié)構(gòu)關(guān)系到多晶硅光電子器件的光電性能。論文對(duì)酸腐蝕液調(diào)節(jié)多晶硅的表面結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究，優(yōu)化了多晶硅表面結(jié)構(gòu)，提高了多晶硅表面反射率。
　　多晶硅表面修飾通常采用酸腐蝕，原因是酸在多晶硅表面上修飾是各向同性修飾，即不同晶面修飾速度相同。論文研究了傳統(tǒng)配方HF-HNO3修飾的多晶硅，且發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)技術(shù)修飾多晶硅表面絨面結(jié)構(gòu)不理想、陷光效應(yīng)不好。通過觀察樣品的SEM形貌圖發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)酸調(diào)節(jié)多晶硅表面的陷

2、阱坑淺而大，不利于光的收集，因而表面反射率高達(dá)31.7％。在此基礎(chǔ)上，對(duì)傳統(tǒng)的酸腐蝕配方HF-HNO3改進(jìn)，用NaNO2代替 HNO3作為氧化劑。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)經(jīng)過HF-NaNO2腐蝕液修飾，晶硅表面有良好的絨面結(jié)構(gòu)。其表面呈現(xiàn)蚯蚓狀的腐蝕坑，且腐蝕坑深度和密度相對(duì)較大、分布均勻，因而表面反射率下降到23.9%，比傳統(tǒng)配方低了8%左右。但進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)：HF-NaNO2腐蝕液修飾多晶硅表面后，會(huì)出現(xiàn)峽谷狀的腐蝕溝。
　　為了進(jìn)一步優(yōu)化多

3、晶硅的表面結(jié)構(gòu)，論文創(chuàng)新地提出兩步法修飾多晶硅表面技術(shù)。兩步法修飾多晶硅表面原理是：首先用腐蝕較慢的腐蝕液修飾多晶硅表面，使之獲得一定密度、深度的陷阱坑；然后使用反應(yīng)速率較快的腐蝕液再進(jìn)行修飾，使多晶硅表面陷阱坑進(jìn)一步增大變深。通過大量的實(shí)驗(yàn)研究，本文發(fā)現(xiàn)采用如下的技術(shù)可以在多晶硅表面上獲得比較好的表面結(jié)構(gòu)。首先HF-NaNO2腐蝕液修飾多晶硅表面，這樣多晶硅片表面同樣會(huì)出現(xiàn)均勻的、高密度的蚯蚓狀腐蝕坑；然后HF-HNO3-(NH4)2