PKA-CREB信號通路在rTMS改善腦缺血后學習記憶功能中的作用及機制研究.pdf

1、第一部分高頻rTMS對腦缺血大鼠學習記憶功能的影響
　　目的:研究高頻重復經顱磁刺激(rTMS)對腦缺血大鼠學習記憶的影響。
　　方法:本研究采用大腦中動脈栓塞再灌注方法建立腦缺血模型為研究對象,30只SD雄性成年大鼠,隨機分為正常組、模型組、rTMS組,rTMS組模型制作成功后給予7d的20Hz重復經顱磁刺激治療,正常組不做任何處理。采用Morris水迷宮評定rTMS對大鼠學習記憶功能的影響。
　　結果:正常組、模型

2、組和rTMS組的逃避潛伏期分別為19.35±12.62s、49.76±13.27s、33.13±19.46s。模型組大鼠與正常組相比逃避潛伏期明顯延長(P=0.001),rTMS組大鼠較模型組明顯縮短(P=0.017)。
　　結論:模型組大鼠學習記憶能力下降;高頻重復經顱磁刺激能夠改善腦缺血大鼠學習記憶功能。
　　第二部分高頻rTMS對腦缺血大鼠海馬pCREB、bcl-2、bax表達的影響及機制研究
　　目的:研究高頻

3、重復經顱磁刺激對腦缺血大鼠患側海馬pCREB、bcl-2、bax表達的影響,探索rTMS影響腦缺血后學習記憶功能的可能機制。
　　方法:本研究采用大腦中動脈栓塞再灌注方法建立腦缺血模型為研究對象,32只SD雄性成年大鼠,隨機分為模型組、rTMS組、rTMS+H89組和rTMS+NS組,rTMS+H89組側腦室注射H89后進行模型制作,rTMS+NS組側腦室注射NS后進行模型制作,除模型組外各組模型制作成功后給予7天的20Hz重復經

4、顱磁刺激治療,觀察rTMS組與模型組、TMS+H89組和rTMS+NS組間蛋白激酶A-環(huán)磷酸腺苷反應元件結合蛋白(pCREB)、B細胞淋巴瘤/白血病基因2(bcl-2)、bcl基因相關蛋白(bax)的表達變化。
　　結果:rTMS組的pCREB和bcl-2表達較模型組增加(P<0.01),bax則較模型組減少(P<0.01),bcl-2與bax的比值rTMS組大于模型組(P<0.01)。rTMS+H89組的pCREB和bcl-2表

5、達較rTMS+NS組降低(P<0.01),bax的表達則較rTMS+NS組增加(P<0.01),rTMS+H89組bcl-2與bax的比值較rTMS+NS組亦降低(P<0.05)。
　　結論:高頻重復經顱磁刺激能夠促進腦缺血后海馬神經元的存活,抑制凋亡;這種作用可能通過激活PKA-CREB信號通路來實現。
　　第三部分高頻rTMS對腦缺血大鼠海馬PSD-95和GAP-43表達的影響及機制研究
　　目的:研究高頻重復經顱

6、磁刺激對腦缺血大鼠缺血側海馬PSD-95和GAP-43表達的影響,并探索其可能機制。
　　方法:本研究采用大腦中動脈栓塞再灌注方法建立腦缺血模型為研究對象,20只SD雄性成年大鼠,隨機分為模型組、rTMS組、rTMS+H89組和rTMS+NS組,rTMS+H89組側腦室注射H89后進行模型制作,rTMS+NS組側腦室注射NS后進行模型制作,除模型組外各組模型制作成功后給予7天的20Hz重復經顱磁刺激治療,應用Western Blo

7、t方法檢測缺血側海馬PSD-95和GAP-43表達并觀察超微結構,進一步研究給予阻滯劑后pCREB、PSD-95和GAP-43表達變化。
　　結果:①與模型組相比,rTMS組PSD-95和GAP-43表達增加(P<0.01),電鏡下突觸體積增大,突觸前后膜電子致密區(qū)增寬,電子密度和突觸囊泡數量增加。
　?、趓TMS+H89組pCREB、PSD-95、GAP-43表達較rTMS+NS組均減少(P<0.01)。
　　結論: