不同方法評價工頻磁場對人晶狀體上皮細胞DNA損傷作用.pdf

1、背景：工頻磁場是指頻率為50 Hz的極低頻磁場。隨著電氣化的發(fā)展,家用電器的廣泛使用,人們?nèi)粘Ｉ瞽h(huán)境以及職業(yè)環(huán)境中工頻磁場的暴露水平與日俱增,因此,揭示工頻磁場對人體健康的影響成為目前公共衛(wèi)生領(lǐng)域的重要課題。DNA作為生物體最重要的遺傳物質(zhì),易受到內(nèi)源性或外源性因素的襲擊而產(chǎn)生DNA損傷,并最終導致腫瘤等疾病的發(fā)生。因此有關(guān)工頻磁場對細胞DNA損傷修復的影響成為評價工頻磁場健康風險的關(guān)鍵事件之一.盡管三十多年來,研究者們對于工頻磁場的

2、DNA損傷效應(yīng)進行了研究,但迄今為止,尚無確切結(jié)論。
　　 目的：為了更全面、客觀的評價工頻磁場的DNA損傷效應(yīng),本研究采用不同方法評價工頻磁場暴露對人品狀體上皮細胞DNA損傷作用。
　　 方法：人晶狀體上皮細胞暴露于0.4 mT,50 Hz工頻磁場2 h、6 h、12 h、24 h和48 h后,采用γH2AX焦點形成實驗(免疫熒光法、流式細胞法、免疫印跡法)以及彗星試驗檢測細胞DNA損傷情況。每個時間點分別設(shè)置一一對照

3、的假暴露組,4NQO和雙氧水處理為陽性對照。其中γH2AX焦點形成實驗采用平均焦點數(shù)、陽性細胞率和γH2AX蛋白表達量作為DNA損傷程度評價指標,彗星試驗采用尾長和尾距作為DNA損傷程度評價指標。
　　 結(jié)果：工頻磁場各時間點暴露組和對應(yīng)假暴露組比較,γH2AX免疫熒光法檢測結(jié)果顯示,平均焦點數(shù)和焦點陽性細胞率均沒有顯著性差異(P>0.05)；流式細胞法檢測結(jié)果顯示陽性細胞率均低于5％,無統(tǒng)計學差異(P>0.05)；免疫印跡實驗