納米硅晶體的制備及其性質(zhì)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、1．用磁控濺射系統(tǒng)，共濺射Si和SiO<,2>再退火來制備納米硅晶體。拉曼(Raman)光譜和透射電子顯微鏡(TEM)照片證實了納米硅晶體的存在。又研究了不同條件下制備的納米硅晶體的光致發(fā)光(PL)譜。研究表明不同Si和SiO<,2>的組分比和不同的退火條件對納米硅的光致發(fā)光有很大的影響。 2．對雙層納米硅晶體的樣品，進行電容-電壓(C-V)測試。結(jié)果表明，一個來回的掃描曲線，存在電滯回線現(xiàn)象。不同的掃描電壓和掃描頻率下，回滯現(xiàn)

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