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文檔簡(jiǎn)介
1、納米硅薄膜(nc-Si:H)是一個(gè)由納米尺度的Si晶粒組成的薄膜。它的結(jié)構(gòu)和物性既與其它硅材料有密切的聯(lián)系,又顯示出一系列低維半導(dǎo)體的特性。本文著重研究了nc-Si:H薄膜的制造、表征及其所具有的一系列特性。 在本文中詳細(xì)的論述了PECVD法制作納米硅薄膜的原理和過(guò)程,深刻剖析了PECVD儀器各部分的工作原理并進(jìn)行了圖示。實(shí)驗(yàn)選用的氣體為純SiH<,4>氣體,采用PECVD方法,在處理后的硅片上制備了納米硅薄膜,并對(duì)制備的薄膜進(jìn)
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