硅納米線的濕法刻蝕及其光學(xué)性質(zhì)的研究.pdf

1、硅是一種重要的半導(dǎo)體材料，而且是微電子器件中應(yīng)用最為廣泛的材料，因此被譽(yù)為人類二十世紀(jì)最偉大的成就之一。由于單晶硅為間接帶隙材料，其禁帶寬度為1.12eV，只能發(fā)出微弱的紅光，且發(fā)光效率較低，很難實(shí)現(xiàn)室溫下的光致發(fā)光，很難制成光學(xué)器件，限制了其在光探測(cè)、光傳感等方面的應(yīng)用。由于半導(dǎo)體納米線是一維材料具有量子尺寸效應(yīng)，并且有電、光、機(jī)械、化學(xué)等特性及其獨(dú)特的形貌大的比表面積，而成為未來(lái)納米科技的發(fā)展核心。現(xiàn)階段科技研究的兩個(gè)熱點(diǎn)分別是碳納

2、米管和硅納米線。硅納米線作為一維半導(dǎo)體材料，具有直接帶隙，懸掛鍵密集地分布在其表面，使大量的氣體分子和生物分子能夠被吸附在其表面，同時(shí)在量子限制效應(yīng)的影響下，可以發(fā)射可見光，使得其在光探測(cè)、光傳感等方面具有很大的應(yīng)用價(jià)值。
　　本文采用不同的濕法刻蝕硅襯底過(guò)程制備硅納米線。通過(guò)掃描電鏡、光致發(fā)光等測(cè)試手段對(duì)樣品的形貌、光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行表征。研究硝酸銀濃度、時(shí)間、襯底種類對(duì)硅納米線孔隙率的影響，獲得刻蝕最優(yōu)條件，進(jìn)一步使用PS球模板法獲