晶體硅光陷阱結(jié)構(gòu)制備及其抗反射性能研究.pdf

1、本研究制備了單晶硅絨面結(jié)構(gòu)、硅倒金字塔結(jié)構(gòu)和宏孔硅陣列結(jié)構(gòu)三種光陷阱結(jié)構(gòu)，系統(tǒng)地研究了不同工藝條件對三種光陷阱結(jié)構(gòu)的影響，分析了表面光陷阱結(jié)構(gòu)與其抗反射性能的關(guān)系。單晶硅制絨實(shí)驗(yàn)中，研究了IPA（異丙醇）濃度，反應(yīng)溫度和腐蝕時間對絨面結(jié)構(gòu)的影響。最后確定的最佳工藝參數(shù)為：NaOH的濃度為2wt％，IPA的濃度為12wt%，在80℃的恒溫下，腐蝕50min。得到尺寸均勻，覆蓋率高，形貌理想，具有較高抗反射性能的單晶硅絨面光陷阱結(jié)構(gòu)。制備倒

2、金字塔光陷阱結(jié)構(gòu)過程中，研究了反應(yīng)溫度和腐蝕時間對倒金字塔結(jié)構(gòu)的影響。對比不同倒金字塔光陷阱結(jié)構(gòu)的抗反射性能發(fā)現(xiàn)：尺寸相同，排列方式不同的倒金字塔光陷阱結(jié)構(gòu)的抗反射能力相同；對于面積相同的樣品，倒金字塔光陷阱結(jié)構(gòu)的圖形面積占總樣品面積的比例越大，抗反射性能越好。采用光電化學(xué)腐蝕的方法制備宏孔硅光陷阱結(jié)構(gòu)，研究了腐蝕電壓和表面活性劑對宏孔硅結(jié)構(gòu)的影響。對比不同宏孔硅光陷阱結(jié)構(gòu)的抗反射性能發(fā)現(xiàn)：對于孔深相同的宏孔硅光陷阱結(jié)構(gòu)，表面上孔隙率越