已閱讀1頁，還剩66頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領
文檔簡介
1、隨著超大規(guī)模集成電路(ULSI)器件集成度的提高，亟需開發(fā)新型低介電常數(shù)(low-k)材料來降低由于特征尺寸的降低所帶來的信號容阻(RC)延遲、串擾以及能耗等問題。聚合物基復合薄膜在微電子行業(yè)具有廣闊的應用前景，氧化硅介孔分子篩MCM-41具有超低介電常數(shù)，使其成為比較合適的低介電復合材料的填料。 本文主要研究了聚酰亞胺/介孔分子篩(PI/MCM-41)復合薄膜的制備方法及其性能。采用溶膠-凝膠法制備了MCM-41分子篩，分別通
2、過原位分散聚合工藝和球磨分散工藝將具有超低介電常數(shù)的MCM-41粒子復合到PI基體中以制備低介電常數(shù)PI/MCM-41復合薄膜。采用TEM、SEM、UV-Vis、TGA、阻抗分析儀等對復合薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、熱性能、電性能等進行了研究。 結(jié)果顯示：無機粒子在PI/MCM-41復合薄膜中分散均勻，介電常數(shù)降至2.58，體積電阻率和擊穿場強均得到提高，分別達到3.139×10<'16> Ω.m和255.45MV.m<'-1>。球磨工藝得
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備與性能研究.pdf
- 聚酰亞胺-介孔硅復合薄膜的制備及性能研究.pdf
- 低介電常數(shù)聚酰亞胺及其復合物的制備與性能研究.pdf
- 2003_面上_低介電常數(shù)聚酰亞胺納米泡沫薄膜的制備與性能
- 高介電常數(shù)聚酰亞胺-無機粒子復合膜的制備及性能研究.pdf
- 四氟化碳等離子體處理制備低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜.pdf
- 介孔分子篩HMS的制備及脫硫性能研究.pdf
- 聚酰亞胺-無機介孔復合材料的制備及性能研究.pdf
- 多孔低介電聚酰亞胺薄膜的制備及其性能表征.pdf
- 碳化硅-聚酰亞胺基低介電常數(shù)復合材料制備與特性研究.pdf
- 聚酰亞胺基復合薄膜的制備及其介電性能研究.pdf
- 介孔分子篩制備、表征及應用.pdf
- MCM-41介孔分子篩及分子篩膜的制備.pdf
- 側(cè)鏈修飾低介電常數(shù)聚酰亞胺的合成及表征.pdf
- 聚酰亞胺復合薄膜的制備與性能研究.pdf
- 高導熱低介電氮化鋁-聚酰亞胺納米復合薄膜的制備與性能研究.pdf
- 鈦酸銅鈣-聚酰亞胺高介電常數(shù)耐高溫復合材料的制備及性能研究.pdf
- 低介電常數(shù)SiCOH和SiCOF薄膜的制備和性能.pdf
- Ti-MCM-41介孔分子篩制備及脫硫性能研究.pdf
- 鈦硅介孔分子篩的制備及應用.pdf
評論
0/150
提交評論