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文檔簡介
1、電子快速發(fā)展,需要具有高介電常數的材料,用于制備用埋入式元器件,從而使得集成電路小型化?,F行的無機和有機介電材料難以滿足實際需求。本文設想通過制備無機/有機復合材料,來解決當前對高介電材料的需求。 本文運用了不同的方法制備出鈦酸銅鈣(CCTO)粉末填料,再次基礎上,利用具有優(yōu)良的耐熱性能和絕緣性能的聚酰亞胺(PI)材料作為基體,運用原位聚合的方法,制備出CCTO/PI復合薄膜材料。運用XRD,FTIR,SEM,TGA,阻抗分析等
2、對復合材料進行相應的表征。結果表明,在1000℃下,利用固相煅燒的方法,產物經過球磨之后,能夠制備出用于后續(xù)制備復合材料的CCTO粉末。在復合材料之中,CCTO能夠較為均勻的分散在PI基體之中,當填料含量達到40vol%時,復合材料的介電常數在100Hz下達到60,是基體的17倍。且經過KH550改性后,復合材料的介電常數得到了進一步的提高。復合材料的電學性能受到填料含量的影響,在較高的填充含量和較低的填充含量下,表現出來顯著的區(qū)別。T
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