鈦酸銅鈣-聚酰亞胺高介電常數耐高溫復合材料的制備及性能研究.pdf

1、電子快速發(fā)展，需要具有高介電常數的材料，用于制備用埋入式元器件，從而使得集成電路小型化?，F行的無機和有機介電材料難以滿足實際需求。本文設想通過制備無機/有機復合材料，來解決當前對高介電材料的需求。 本文運用了不同的方法制備出鈦酸銅鈣（CCTO）粉末填料，再次基礎上，利用具有優(yōu)良的耐熱性能和絕緣性能的聚酰亞胺（PI）材料作為基體，運用原位聚合的方法，制備出CCTO/PI復合薄膜材料。運用XRD，FTIR，SEM，TGA，阻抗分析等

2、對復合材料進行相應的表征。結果表明，在1000℃下，利用固相煅燒的方法，產物經過球磨之后，能夠制備出用于后續(xù)制備復合材料的CCTO粉末。在復合材料之中，CCTO能夠較為均勻的分散在PI基體之中，當填料含量達到40vol％時，復合材料的介電常數在100Hz下達到60，是基體的17倍。且經過KH550改性后，復合材料的介電常數得到了進一步的提高。復合材料的電學性能受到填料含量的影響，在較高的填充含量和較低的填充含量下，表現出來顯著的區(qū)別。T