聚酰亞胺基復(fù)合薄膜的制備及其性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、聚酰亞胺(Polyimide,PI)因具有高耐熱性,一定條件下的易加工性和良好的機械性能等優(yōu)良特性而被廣泛應(yīng)用于航空航天、微電子、汽車和包裝行業(yè),但傳統(tǒng)的PI已經(jīng)不能滿足現(xiàn)代電子等行業(yè)對材料性能的要求。將無機粒子引入PI基體中,形成PI復(fù)合材料,是目前對PI改性工作中較為有效的方法,可以提高材料的熱穩(wěn)定性、機械性能和電學(xué)性能等。
  本論文的研究工作包括三個部分:
  首先,以均苯四甲酸二酐(PMDA)和2,2-二[4-(4

2、-氨基苯氧基)苯基]丙烷(BAPP)為原料制備了聚酰胺酸(PAA),用熱聚合法制備了g-C3N4,然后與PAA溶液通過原位聚合和熱亞胺化的方法制得PI/g-C3N4復(fù)合薄膜,探討了g-C3N4的加入對PI復(fù)合體系結(jié)構(gòu)和性能的影響。結(jié)果表明,復(fù)合薄膜的力學(xué)性能明顯增強。拉伸強度和斷裂伸長率在g-C3N4含量為2wt%時達到最大值,分別為102 Mpa和9.1%,與純PI薄膜相比,分別增加了23%和21%,而拉伸模量在加入4wt% g-C3

3、N4時達到最大值,提高了46%。在加入8wt%g-C3N4到PI基體后,發(fā)現(xiàn)復(fù)合薄膜的熱穩(wěn)定性得到提高,Td,5%和Td,10%與純PI相比分別提高了40℃和39℃。另外,本文還研究了復(fù)合體系的介電性能和光學(xué)性能。
  其次,以PI為基體,石墨烯(GN)為導(dǎo)體增強材料,基于滲流理論制備了一系列不同含量的PI/GN復(fù)合薄膜,并且研究了其結(jié)構(gòu)和形態(tài),以及復(fù)合薄膜的介電性能和導(dǎo)電性能。結(jié)果證明,復(fù)合薄膜具有很低的滲流閾值(1.3gvol

4、%),介電常數(shù)和電導(dǎo)率部在滲流閾值處突然增大,其中介電常數(shù)最大可達106,是純PI的30倍。復(fù)合薄膜的介電常數(shù)和介電損耗在滲流閾值處表現(xiàn)出了很強的頻率依賴性,隨著頻率的增加而劇烈減小。
  第三,先將BaTiO3顆粒通過KH550改性,后以PI為基體,改性后的BaTiO3為功能體,制得了PI/BaTiO3兩相復(fù)合薄膜,研究了填料含量和外電場頻率對材料介電常數(shù)和介電損耗的影響?;诨旌戏▌t和滲流理論制備7 PI/BaTiO3/GN三

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