2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、PDP(Plasma Display Panel:等離子體顯示平板)作為新一代顯示技術(shù),以其響應(yīng)速度快,寬屏顯示及圖像分辨率高等優(yōu)點(diǎn),成為顯示技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展的重要方向。PDP行掃描驅(qū)動(dòng)芯片是PDP整機(jī)系統(tǒng)成本的重要組成部分,其包括低壓邏輯部分和高壓部分,隨著工藝特征線寬的減小,低壓邏輯部分所占芯片面積逐漸減小,而高壓功率部分由于高電壓、大電流,占據(jù)了絕大部分的芯片面積,作為設(shè)計(jì)難點(diǎn)PDP驅(qū)動(dòng)芯片高壓部分主要包括高壓電平位移電路和功率輸出級(jí)

2、。
  本文主要工作是設(shè)計(jì)應(yīng)用于 PDP行掃描驅(qū)動(dòng) IC的SOI高壓功率器件,SOI高壓功率器件包括高壓電平位移電路中的高壓 NLDMOS(N-channel Lateral Double-diffused MOSFET)、高壓 PLDMOS(P-channel Lateral Double-diffused MOSFET)和輸出級(jí)的高壓LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor

3、)。本次芯片設(shè)計(jì)采用的厚膜SOI材料的頂層硅厚度為12μm,埋氧層厚度為1μm,高壓?jiǎn)卧g和高低壓?jiǎn)卧g采用深槽介質(zhì)隔離,相比與傳統(tǒng)的PN結(jié)隔離技術(shù),使得芯片面積減小了70%。隨著PDP大尺寸顯示屏技術(shù)的發(fā)展,其等效的電容增大,所以對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片輸出端的電流能力有更高的要求。
  本文首先對(duì)SOI高壓器件的擊穿特性進(jìn)行理論說(shuō)明,包括導(dǎo)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)下的擊穿情況,在此基礎(chǔ)上利用仿真軟件Medici仿真器件結(jié)構(gòu)參數(shù)變化對(duì)閾值電壓和擊

4、穿電壓的影響,器件結(jié)構(gòu)參數(shù)主要包括:器件漂移區(qū)摻雜濃度,溝道區(qū)摻雜濃度以及場(chǎng)板長(zhǎng)度等,通過(guò)對(duì)結(jié)果的分析得到符合器件電學(xué)特性設(shè)計(jì)要求的結(jié)構(gòu)參數(shù)。在器件仿真基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)完整的工藝流程并對(duì)關(guān)鍵工藝步驟進(jìn)行分析,采用工藝仿真軟件 Tsuprem4和器件仿真軟件 Medici對(duì)器件進(jìn)行工藝器件聯(lián)合仿真,仿真工藝參數(shù)對(duì)器件電學(xué)特性的影響,確定最終的工藝流程菜單,并完成芯片版圖的繪制。第一次流片已經(jīng)完成,經(jīng)測(cè)試高壓器件擊穿電壓都達(dá)到了200V以上,輸出

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