PDP掃描驅(qū)動芯片用橫向高壓SOI-LIGBT優(yōu)化設(shè)計.pdf

1、絕緣體上硅（Silicon on Insulator，SOI）橫向絕緣柵雙極型晶體管（Lateral Insulated Gate BipolarTransistor，LIGBT）具有耐壓高、驅(qū)動電流能力強、開關(guān)速度快和功率損耗低等優(yōu)點，已在等離子顯示器（Plasma Display Panel，PDP）掃描驅(qū)動芯片上逐漸得到應(yīng)用，并有取代目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用的橫向雙擴散場效應(yīng)晶體管（Lateral Double-diffused MOSF

2、ET，LDMOS）的趨勢，SOI-LIGBT的應(yīng)用可以提高芯片性能，降低芯片成本，增強產(chǎn)品的市場競爭力。
　　 本文旨在優(yōu)化設(shè)計出能夠應(yīng)用于PDP掃描驅(qū)動芯片，并且可以取代現(xiàn)有高壓LDMOS的高壓SOI-LIGBT。首先，分析比較SOI-LIGBT各種改進結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點，進而結(jié)合現(xiàn)有實際工藝能力，確定本文SOI-LIGBT的基本器件結(jié)構(gòu)。其次，采用器件工藝模擬軟件TSUPREM-4和電學特性仿真軟件MEDICI主要針對SOI-LI

3、GBT的SOI層、埋氧層、p型體區(qū)、漏端n型緩沖層、柵極和漏極場板等器件結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)進行優(yōu)化設(shè)計，并確定最佳參數(shù)值。最后，基于無錫華潤上華標準的0.5μmCDMOS工藝，開發(fā)出集成SOI-LIGBT高壓器件的高低壓兼容工藝，并運用Cadence軟件完成器件版圖設(shè)計工作。
　　 經(jīng)流片測試，SOI-LIGBT主要特性為：擊穿電壓185V，開態(tài)飽和電流2x10-4A/μm以上，閾值電壓0.83V，導(dǎo)通電阻56mΩ·cm2，完全符合