版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、東南大學(xué)碩士學(xué)位論文PDP掃描驅(qū)動(dòng)芯片用高壓器件研究姓名:李維聰申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專(zhuān)業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:吳建輝20090314AbstractAbstractBecauseofitsadvantagessuchassmallparasiticcapacitanceandisolationarea,excellentcompatibilitywitllbulksiliconprocessandcompletematerial
2、isolation,SOI(Siliconon—Insulator)HighvoltageLDMoS(LateralDouble—diffusedMOSFET),callconstitutetheHighvoltagedriverICwhichCanconverttheoriginalLowvoltagecontrolsignalsintotheHigll—voltagedriversignalsandrealizetheimagedi
3、splayofPDP(PlasmaDisplayPanel)TheSOIHV二LDMoSandisolationstructureusedinPDPscandriverICareproposedinthisthesisWiththeassistanceofprocesssimulationsoftwareTSUPREM4anddevicecharacteristicsimulationsoftwareMEDICItheprocessan
4、dstructureparametersofLDMOSandisolationstructureareoptimizedFinallytheoptimumparametersofdevicesandisolationstructureareobtained,whicharethefoundationandreferenceofthefollowingtapeoutAfterthesimulationoftheHV二LDMOSandiso
5、lationstructurebyTSUPREM4andMEDICIinthisthesistheparametersareobtainedasfollows:SOINLDMoS:Breakdownvoltageis252Vthresholdvoltageis1IVandonstatesaturationcurrentis92Xl0。A/pm;SOIPLDMOS:Breakdownvoltageis248Vthresholdvoltag
6、eis25Vandon—statesaturationcurrentis25101A/gm;SOItrenchisolationstructure:Breakdownvoltageis220VTheparametersaboveareverysatisfyingandsuitableforthedesignofmePDPscandriverICTheSOICDMoSprocessflowsuitableforthePDPSCandriv
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- PDP行驅(qū)動(dòng)芯片用高壓DMOS器件SPICE宏模型研究.pdf
- PDP掃描驅(qū)動(dòng)芯片用橫向高壓SOI-LIGBT優(yōu)化設(shè)計(jì).pdf
- 用于PDP行掃描驅(qū)動(dòng)IC的SOI高壓器件.pdf
- PDP掃描電極驅(qū)動(dòng)芯片的研制.pdf
- PDP驅(qū)動(dòng)芯片用高性能高壓電路設(shè)計(jì).pdf
- PDP驅(qū)動(dòng)芯片高壓電路設(shè)計(jì).pdf
- PDP驅(qū)動(dòng)芯片用接口電路設(shè)計(jì).pdf
- PDP高壓驅(qū)動(dòng)芯片可靠性研究及驗(yàn)證方法.pdf
- 等離子顯示器(PDP)掃描驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì).pdf
- PDP行驅(qū)動(dòng)芯片用200V PLDMOS設(shè)計(jì).pdf
- PDP選址驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì).pdf
- SOI PDP掃描驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì).pdf
- 行掃描驅(qū)動(dòng)高壓SOI橫向功率器件與電路特性研究.pdf
- AC-PDP尋址驅(qū)動(dòng)芯片的研究和設(shè)計(jì).pdf
- PDP驅(qū)動(dòng)芯片用100V NLDMOS安全工作區(qū)的提取與驗(yàn)證.pdf
- PDP驅(qū)動(dòng)芯片中ESD保護(hù)網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì).pdf
- PDP驅(qū)動(dòng)芯片輸入輸出接口電路設(shè)計(jì).pdf
- 192路PDP列驅(qū)動(dòng)芯片關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf
- SiC開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì).pdf
- 高壓柵極驅(qū)動(dòng)芯片可靠性研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論