反應(yīng)離子刻蝕碲化鋅晶體光學(xué)性質(zhì)與應(yīng)用研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文首先介紹了半導(dǎo)體中的基本光學(xué)過(guò)程，著重分析了能帶帶間包括帶尾之間的躍遷、晶格振動(dòng)和喇曼（Raman）散射特性，簡(jiǎn)介了研究樣品的測(cè)量?jī)x器真空紫外光譜儀和傅立葉變換光譜儀。然后給出了相關(guān)的理論模型，包括三層薄膜透射和反射、晶格振動(dòng)區(qū)域以及吸收邊以上基本吸收區(qū)域的折射率模型。最后，重點(diǎn)介紹了我所研究的反應(yīng)離子刻蝕（RIE）碲化鋅（ZnTe）晶體從紫外到紅外波段的光學(xué)性質(zhì)和應(yīng)用，這些工作都是從測(cè)量RIE ZnTe晶體各種類型的光譜開(kāi)始的。

2、通過(guò)研究RIE ZnTe晶體的遠(yuǎn)紅外（FIR）反射譜，我們得到了RIE ZnTe晶體損傷層平均厚度，介紹了刻蝕中缺陷的引入機(jī)制，估算了缺陷濃度，并分析了改變刻蝕條件特別是射頻功率對(duì)晶體造成的影響。在此基礎(chǔ)上，我們計(jì)算了RIE ZnTe晶體在太赫茲（THz）頻段的表面層有效折射率，并利用兩套經(jīng)驗(yàn)公式總結(jié)出了折射率與射頻功率之間的關(guān)系。此外，我們利用臨界點(diǎn)（CPs）模型擬合了RIE ZnTe晶體紫外反射光譜，詳細(xì)分析了ZnTe晶體吸收邊

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