反應(yīng)離子刻蝕輔助的單納米粒子水平的表面增強(qiáng)拉曼光譜研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、硅材料作為一種高效率、高增強(qiáng)因子的SERS基底近年來得到廣泛的研究和應(yīng)用。最近報(bào)道的硅基SERS基底(包括修飾有金/銀納米顆粒的硅納米線,修飾有金/銀納米顆粒的硅片)的EF值可達(dá)106-108,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于游離態(tài)的金/銀納米顆粒。但需要指出的是,過去關(guān)于SERS的研究大部分基于粒子的聚集態(tài),從實(shí)驗(yàn)上研究硅基底如何影響單個(gè)納米粒子的SERS增強(qiáng)鮮有報(bào)道。由于聚集態(tài)的納米粒子間隙產(chǎn)生的“活性位點(diǎn)”(hot spots)強(qiáng)烈影響著SERS增強(qiáng),并

2、很可能掩蓋了其基底SERS增強(qiáng)的貢獻(xiàn),所以在單納米粒子水平進(jìn)行SERS研究顯得尤為重要。本文首次從單納米粒子水平出發(fā),在實(shí)驗(yàn)和理論上同時(shí)證實(shí)了硅基底的SERS增強(qiáng)效應(yīng),為硅材料作為一種具有潛在應(yīng)用前景的SERS基底提供了良好的實(shí)驗(yàn)證明。
　　在本文中,發(fā)展了一種用反應(yīng)離子刻蝕輔助的(reactive ion etching(RIE)-assisted)制備單納米粒子硅基SERS平臺的方法,利用RIE刻蝕技術(shù),便于把單個(gè)納米粒子均勻

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