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1、減反射薄膜在各領(lǐng)域中的應(yīng)用日益廣泛,對(duì)其性能的要求也在不斷地提高。紫外波段的減反射薄膜可顯著提高光電探測(cè)器件、激光器和太陽(yáng)能電池等應(yīng)用的光學(xué)性能,其研究意義不斷凸顯。對(duì)于硅太陽(yáng)能電池來(lái)說(shuō),由于其折射率遠(yuǎn)大于空氣,導(dǎo)致對(duì)紫外光的反射較高。而降低Si表面紫外光的反射,可顯著提高電池在短波范圍的光譜響應(yīng)。論文主要對(duì)晶體硅表面的紫外波段減反射薄膜展開(kāi)研究,具體內(nèi)容如下:
1.論文在介紹了傳統(tǒng)減反射薄膜原理的基礎(chǔ)上,針對(duì)短波范圍內(nèi)大部分
2、材料都具有有吸收(消光系數(shù)不為零)的特點(diǎn),推導(dǎo)了短波段減反射薄膜的設(shè)計(jì)方法。
2.以Si為基底設(shè)計(jì)了兩層結(jié)構(gòu)(下層薄膜的消光系數(shù)不為零)的紫外減反射薄膜。為了使膜層的折射率與預(yù)期相符,上層薄膜采用了納米柱結(jié)構(gòu),下層薄膜使用了兩種材料均勻混合的方法。利用TFCalc對(duì)薄膜進(jìn)行了優(yōu)化,結(jié)果表明該膜系結(jié)構(gòu)較大程度上明顯降低了紫外入射光的反射。
3.引入光譜下轉(zhuǎn)換材料YAG∶Ce,在Si基底上設(shè)計(jì)了四層結(jié)構(gòu)的紫外減反射薄膜。
3、薄膜的上兩層使用了納米柱結(jié)構(gòu),以調(diào)節(jié)膜層的折射率。模擬結(jié)果表明薄膜結(jié)構(gòu)在紫外波段可將平均反射率降到18%以下,可見(jiàn)光及紅外波段更可將反射率降到4%以下。
4.實(shí)驗(yàn)制備了含有YAG∶Ce的四層紫外減反射薄膜結(jié)構(gòu),對(duì)薄膜的性質(zhì)和影響因素進(jìn)行了研究。制備的薄膜在350nm~500nm的短波段內(nèi)的平均反射率約為16.6%,在350nm~1100nm的寬光譜波段內(nèi)的反射率平均約為13%,說(shuō)明了該薄膜不僅可以有效減少紫外光的反射,也可以實(shí)
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