版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、提高太陽(yáng)能的利用率,尤其是太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)化率是科研工作者研究的一個(gè)重要方向。對(duì)于提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率的方法很多,但比較可行又能降低太陽(yáng)電池成本的方法是在太陽(yáng)電池表面形成一層減反射薄膜,以減少太陽(yáng)電池表面對(duì)陽(yáng)光的反射損失。目前應(yīng)用較廣泛的方法是噴涂和刷涂法等,這些方法普遍存在污染環(huán)境、附著力差等缺點(diǎn);磁控濺射方法能夠?qū)崿F(xiàn)綠色環(huán)保生產(chǎn),而且膜層的附著力較好。對(duì)于減反射薄膜材料主要是MgF2、Si3N4、Ta2O5等它們?cè)谥苽浜蛻?yīng)用過(guò)
2、程中或多或少存在著缺點(diǎn)和不足;SiO2、TiO2是良好的減反射薄膜材料,其中TiO2薄膜還具有光催化、光降解和防霧、防露等特性,能夠大大提高減反射薄膜的性能。 本論文主要是應(yīng)用反應(yīng)磁控濺射方法制備太陽(yáng)電池減反射薄膜的研究。第一、應(yīng)用穩(wěn)定的直流磁控濺射設(shè)備制備TiO2減反射薄膜并通過(guò)n&kAnalyzer1200薄膜光學(xué)分析儀、X射線衍射分析(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、ALPHA-STEP500型臺(tái)階儀等儀器對(duì)薄膜進(jìn)行表
3、征,分析氧分壓、總氣壓、工作溫度、靶基距等制備工藝參數(shù)對(duì)薄膜性能結(jié)構(gòu)的影響。其結(jié)論如下: (1)隨著氧流量的增加薄膜的反射低谷向中心波長(zhǎng)550nm處移動(dòng);消光系數(shù)k隨氧流量的增加有增大的趨勢(shì);氧流量的變化對(duì)折射率的影響不大;薄膜的厚度隨氧流量的增加而減少;氧流量增加薄膜中的金紅石相TiO2含量增多,薄膜表面由粗糙疏松變的致密光滑。 (2)隨著總氣壓的增加薄膜的反射低谷向短波方向移動(dòng);總氣壓對(duì)消光系數(shù)k影響不大;隨著總氣壓
4、的增加薄膜的折射率出現(xiàn)了下降的趨勢(shì),但當(dāng)總氣壓達(dá)到一定的量值時(shí)折射率的變化趨于穩(wěn)定;薄膜的厚度隨總氣壓的增加而減少;隨著總氣壓的增加TiO2的晶體結(jié)構(gòu)由金紅石相向銳鈦礦相轉(zhuǎn)變,薄膜的表面的顆粒度大小由粗大變得微小細(xì)密。 (3)隨著溫度的增加薄膜的平均反射率降低并且反射低谷向長(zhǎng)波方向移動(dòng);溫度對(duì)消光系數(shù)k影響不大;當(dāng)溫度低于180℃薄膜的折射率變化不大,當(dāng)溫度達(dá)到240℃左右時(shí)薄膜的折射率明顯降低;薄膜的厚度隨溫度的增加而增加;隨
5、著溫度的增加TiO2的晶體結(jié)構(gòu)由混晶變?yōu)閱我坏匿J鈦礦相,薄膜的表面的顆粒由多變少,表面形貌由粗糙多孔變得細(xì)膩平滑。 (4)隨著靶基距的增加薄膜的反射低谷先短波再長(zhǎng)波之后再短波;隨靶基距的增加薄膜的消光系數(shù)k波動(dòng)較大;隨著靶基距的增加薄膜的折射率出現(xiàn)了下降的趨勢(shì),但當(dāng)靶基距達(dá)到一定的量值時(shí)折射率的變化趨于穩(wěn)定;薄膜的厚度隨靶基距的增加出現(xiàn)了正態(tài)分布;隨著靶基距的增加TiO2的晶體結(jié)構(gòu)由金紅石相向銳鈦礦相轉(zhuǎn)變,薄膜的表面的顆粒度大小
6、由粗大變得微小細(xì)密。 第二、采用中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽所已成熟的工藝方法,應(yīng)用法國(guó)的PLASSYSMP450射頻磁控濺射設(shè)備在不同工藝參數(shù)下獲得的TiO2薄膜上制備一層SiO2薄膜。通過(guò)分析可以得到這樣的結(jié)論:制備TiO2薄膜應(yīng)當(dāng)選用常溫,靶基距為190nm,氧流量為15sccm,總氣壓為4×10-1Pa的條件,在此條件下獲得的薄膜與SiO2薄膜匹配制成雙層減反射薄膜將會(huì)達(dá)到最佳的減反射效果。 第三、利用溶膠凝膠方法,在不
7、同磁控濺射條件下制備的TiO2薄膜基片上再拉制一層TiO2溶膠凝膠薄膜制成TiO2/TiO2單質(zhì)雙層減反射薄膜。通過(guò)分析可以得到這樣的結(jié)論:制備TiO2薄膜應(yīng)當(dāng)選用120℃,靶基距為190mm,氧流量為15sccm,總氣壓為8×10-1Pa的條件,在此條件下獲得的薄膜與TiO2溶膠凝膠薄膜匹配制成的單質(zhì)雙層減反射薄膜將會(huì)達(dá)到最佳的減反射效果。 第四、通過(guò)在太陽(yáng)電池上制備TiO2減反射薄膜,研究不同工藝方法對(duì)太陽(yáng)電池效率的影響。經(jīng)
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 晶體硅太陽(yáng)電池表面減反射結(jié)構(gòu)的研究.pdf
- 新型抗PID單晶硅太陽(yáng)電池減反射薄膜工藝研究.pdf
- 薄膜太陽(yáng)電池的研究.pdf
- 薄膜太陽(yáng)電池發(fā)電性能研究和HIT太陽(yáng)電池優(yōu)化模擬.pdf
- 太陽(yáng)電池減反射膜設(shè)計(jì)研究.pdf
- CIGS薄膜太陽(yáng)電池異質(zhì)結(jié)的研究.pdf
- 硅薄膜太陽(yáng)電池材料的制備研究.pdf
- 晶硅太陽(yáng)電池減反射膜的研究.pdf
- 用于薄膜太陽(yáng)電池的新型半導(dǎo)體薄膜.pdf
- 納米硅薄膜太陽(yáng)電池優(yōu)化研究.pdf
- 玻璃基廣角寬帶薄膜硅太陽(yáng)電池用減反射膜的研究.pdf
- 納米硅薄膜太陽(yáng)電池優(yōu)化研究(1)
- 柔性可展開(kāi)薄膜太陽(yáng)電池的研究.pdf
- 多晶硅薄膜太陽(yáng)電池的研究.pdf
- CIAS薄膜太陽(yáng)電池的模擬與優(yōu)化.pdf
- 薄膜太陽(yáng)電池測(cè)試臺(tái)的研制.pdf
- 染料太陽(yáng)電池
- cdte多晶薄膜太陽(yáng)電池的背接觸研究
- 硅基薄膜及太陽(yáng)電池制備研究.pdf
- 銅銦硒薄膜太陽(yáng)電池的材料研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論