晶體硅太陽(yáng)電池表面減反射結(jié)構(gòu)的研究.pdf

1、尋找新能源是人們解決能源危機(jī)的有效途徑。太陽(yáng)能是一種取之不盡、用之不竭的清潔能源，而光伏發(fā)電是太陽(yáng)能利用的重要組成部分。近年來(lái)，在各國(guó)利好政策的支持下，光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛。晶體硅太陽(yáng)電池以其成本低廉，轉(zhuǎn)化效率高的優(yōu)勢(shì)一直在光伏市場(chǎng)占據(jù)主流地位。晶體硅太陽(yáng)能電池的薄片化是進(jìn)一步降低電池成本的關(guān)鍵技術(shù)。為了有效利用太陽(yáng)光的能量，對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池表面減反射結(jié)構(gòu)的研究變得十分關(guān)鍵。本文圍繞晶硅電池表面的減反射結(jié)構(gòu)，做了一系列的研究。
　　

2、本文研發(fā)了一種新型堿制絨添加劑，該添加劑在反應(yīng)過(guò)程中能夠完全取代異丙醇的使用并制得絨面均勻的減反射結(jié)構(gòu)，有效的降低了生產(chǎn)成本。在此基礎(chǔ)上，對(duì)不同配方堿制絨形成的1、5、10μm以及200nm的金字塔結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究，金字塔的尺寸并不是影響反射率的主要因素，在絨面結(jié)構(gòu)均勻性相似的情況下，1、5、10μm結(jié)構(gòu)之間的反射率沒(méi)有太大的差別，幾何光學(xué)模擬結(jié)構(gòu)也與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相吻合。1μm結(jié)構(gòu)制成電池后效率最高，這主要是由于該結(jié)構(gòu)均勻性及電極的接觸較好。

3、
　　在酸刻蝕單晶硅片的過(guò)程中，富氫氟酸體系可以得到微凸起狀結(jié)構(gòu)，當(dāng)HF濃度提高時(shí)，微凸起的密度增大但深度不斷的變小，隨著反應(yīng)時(shí)間的增大，微凸起以溝壑為中心向整個(gè)硅片擴(kuò)散。在富硝酸體系中當(dāng)硝酸濃度較高時(shí)能得到減反射效率不佳的氣泡狀結(jié)構(gòu)，當(dāng)其濃度低時(shí)能形成溝壑狀結(jié)構(gòu)。本文結(jié)合金屬催化腐蝕法和堿腐蝕法在單晶硅表面得到倒金字塔結(jié)構(gòu)，比較了不同反應(yīng)條件下倒金字塔的形貌和反射率特性。
　　本文利用種晶-生長(zhǎng)兩步法直接在單晶硅太陽(yáng)能電池