PANi-Fe-,3-O-,4-在T-ZnOw表面原位復(fù)合及其電磁學(xué)性能初探.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文以氧化鋅晶須(tetra-needle-like ZnO whisker T-ZnOw)為基體,在其表面原位復(fù)合聚苯胺(Polyaniline PANi)和四氧化三鐵(Iron Oxide Fe3O4),分別制備了具有特殊核殼結(jié)構(gòu)的T—ZnOw/PANi復(fù)合物和T—ZnOw/Fe3O4/PANi復(fù)合物。 以T—ZnOw和苯胺為原料,正硅酸乙酯(tetraethyl orthosilicate TEOS)和γ-氨丙基三乙氧基硅

2、烷(γ-aminopropyltriethoxysilane APTES)為表面改性劑,過硫酸胺為引發(fā)劑和氧化劑,對甲基苯磺酸(p-methylbenzene sulfonic acid TSA)為摻雜劑,通過原位合成的方法制得了T-ZnOw/PANi核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合物。實驗結(jié)果表明,制備T-ZnOw/PANi復(fù)合物較好的實驗流程是:先對T-ZnOw進行TEOS和APTES改性,得到改性氧化鋅晶須,而后進行苯胺(aniline AN)的原位

3、復(fù)合,反應(yīng)體系中V(醇)/V(水)=7:3,m(T-ZnOw)/m(AN)=2:1,摻雜度為0.15-0.20M。以此方法制備的復(fù)合物,熱穩(wěn)定性較純摻雜態(tài)聚苯胺要好,電導(dǎo)率在10-3~10-2S/cm之間,高于T-ZnOw5個數(shù)量級以上,低于同等摻雜度下純聚苯胺1~2個數(shù)量級。電磁性能分析表明,以此方法制備的T-ZnOw/PANi復(fù)合物的介電損耗性能較T-ZnOw和同等摻雜度下的聚苯胺要好,而且隨著電導(dǎo)率的提高,其介電損耗性能增強。平板

4、反射率測試表明,T-ZnOw/PANi復(fù)合物比T-ZnOw和同等摻雜度下的聚苯胺的吸波性能要好,隨著電導(dǎo)率的提高,T-ZnOw/PANi復(fù)合物的吸波性能增強,在1~3mm范圍內(nèi),隨著平板厚度的增加,其吸波性能增強。 以T-ZnOw和FeCl2為原料,聚乙二醇為表面活性劑,TEOS為改性劑,通過原位合成的方法制備了T-ZnOw/Fe3O4核殼結(jié)構(gòu)復(fù)合物。以此T-ZnOw/Fe3O4復(fù)合物為基體,通過接枝聚合的方法制備了T-ZnOw

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