CDTE籠狀納米團(tuán)簇及其AG摻雜理論研究.pdf

1、作為一種典型的Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料，CdTe納米團(tuán)簇由于其性質(zhì)的可調(diào)性引起了廣泛的關(guān)注，尤其是摻雜納米團(tuán)簇。本文利用密度泛函理論(DFT)對(CdTe)16×N(N=1-3)納米鏈、Ag摻雜(CdTe)16×N(N=1-2)納米鏈以及Ag摻雜的(CdTe)34殼核納米團(tuán)簇進(jìn)行了研究。首先，對(CdTe)16×N(N=1-3)納米鏈進(jìn)行了計算分析，研究結(jié)果表明，納米鏈的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性高于組成鏈的單個籠狀團(tuán)簇，且鏈接個數(shù)和連接方式是影響團(tuán)簇穩(wěn)定性

2、的兩個重要原因。此外，納米鏈團(tuán)簇的能帶隙值較單個(CdTe)16團(tuán)簇能帶隙窄，呈現(xiàn)典型的量子點特性。在(CdTe)16×N(N=1-2)納米團(tuán)簇鏈的基礎(chǔ)上，我們進(jìn)一步研究了Ag替代摻雜納米鏈的性質(zhì)及其與Ag摻雜位的關(guān)系。研究顯示，摻雜位對結(jié)合能、能帶隙和態(tài)密度有著直接的影響。Ag摻雜在能帶結(jié)構(gòu)上顯示能帶隙中引入了一新的淺能級，受主能級。Ag原子以及Ag原子近鄰的三個Te原子對該能級有明顯的貢獻(xiàn)，且三個Te原子中距離Ag原子最遠(yuǎn)的Te原子