27239.cdte納米粒子的結(jié)構(gòu)和ag吸附理論研究

1、獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進行的研究工作和取得的研究成果除了文中特別加以標注和致謝之處外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得叁洼王些太鱟或其他教育機構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中作了明確的說明并表示了謝意學(xué)位論文作者簽名：碑臻簽字日期：汐仃年虧月，胡學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解墨壅墨些太堂有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定特授

2、權(quán)蓋連墨些太堂可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進行檢索，并采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編以供查閱和借閱同意學(xué)校向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤(保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)說明)學(xué)位論文儲簽名：’凌簽字日期：弘曠年弓月，p日導(dǎo)師簽名：貓紕么簽字日期：2群埤；月，媚摘要II—VI族化合物半導(dǎo)體納米團簇CdTe，由于其獨特的光電特性而備受關(guān)注。但目前大多數(shù)研究都局限在小的(CdTe)。(n_1～8)納米團

3、簇。本文采用密度泛函理論(DFT)的第一性原理，通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化，態(tài)密度以及電子軌道分布分析了Cdl3Tel3核殼納米團簇的Ag吸附，Cdl3Tej3Ag團簇。首先，對未摻雜，較大的(CdTe)。(n=1624)納米團簇籠狀結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)，電子特性等性質(zhì)進行了理論模擬計算。研究結(jié)果顯示，該籠狀納米團簇結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性及電學(xué)穩(wěn)定性隨納米團簇的結(jié)構(gòu)而變化，其能帶隙隨納米團簇的大小而變化，呈現(xiàn)典型的量子點的特性。通過研究，我們選取結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性高的Cdl3T

4、e3核殼納米團簇作為研究對象，應(yīng)用態(tài)密度泛函理論研究Cdl3Tel3核殼納米團簇的Ag吸附。所有可能吸附的位均進行了考慮，通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化，得到了八個穩(wěn)定的同分異構(gòu)體，分別為Ag吸附在橋位和面位。由這些結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性及吸附能的研究發(fā)現(xiàn)Ag吸附在六圓環(huán)面的中心位置是最佳吸附位。電子特性，態(tài)密度和電子密度分布的分析發(fā)現(xiàn)，不同于Ag摻雜中Ag作為替代雜質(zhì)，Ag吸附在原Cdl3Te3核殼結(jié)構(gòu)中的禁帶內(nèi)引入兩個不同自旋的深能級，受主能級。且受主能級和費