Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體納米團(tuán)簇雙光子吸收特性的理論研究.pdf

1、與體塊材料相比，半導(dǎo)體團(tuán)簇由于量子限域效應(yīng)而具有更大的非線性折射率和雙光子吸收截面，并且雙光子吸收的吸收峰和吸收系數(shù)與團(tuán)簇的尺寸和結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。納米團(tuán)簇的比表面積、表面缺陷、表面配體類型以及與配體的成鍵方式都對體系的電子結(jié)構(gòu)和非線性光學(xué)性質(zhì)有非常重要的影響。因此理論計(jì)算方法的發(fā)展，探究不同尺度半導(dǎo)體團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)特征及其演化規(guī)律，可以為實(shí)驗(yàn)有效的展開提供極大的幫助，這也是本課題研究的重要出發(fā)點(diǎn)之一。
　　目前半導(dǎo)體團(tuán)簇的研究主要集中在

2、團(tuán)簇的電子結(jié)構(gòu)和二階極化率等方面。本文利用不同的基組和密度泛函方法計(jì)算了II-VI族半導(dǎo)體小團(tuán)簇雙光子吸收的性質(zhì)，并將計(jì)算結(jié)果與精確度較高但耗時(shí)較長的標(biāo)準(zhǔn)方法進(jìn)行比較，得到了適合較大團(tuán)簇結(jié)構(gòu)的較為合理高效的計(jì)算方法和基組，為大團(tuán)簇結(jié)構(gòu)的計(jì)算方法與基組的選擇提供了指導(dǎo)。本文工作展開主要分為以下幾部分：（1）建立初始模型，通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化得到半導(dǎo)體團(tuán)簇的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；（2）利用多種方法和基組對穩(wěn)定結(jié)構(gòu)相關(guān)參數(shù)進(jìn)行計(jì)算，通過與較為精確的耦合簇方法對比