2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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1、存儲器類型:存儲器類型:ROM也有很多種,PROM是可編程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可編程ROM)兩者區(qū)別是,PROM是一次性的,也就是軟件灌入后,就無法修改了,這種是早期的產品,現在已經不可能使用了,而EPROM是通過紫外光的照射擦除原先的程序,是一種通用的存儲器。另外一種EEPROM是通過電子擦出,價格很高,寫入時間很長,寫入很慢。舉個例子,手機軟件一般放在EEPROM中,我們打電話,有些最后撥打的號碼,暫時是存在SRA

2、M中的,不是馬上寫入通話記錄(通話記錄保存在EEPROM中),因為當時有很重要工作(通話)要做,如果寫入,漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。微機的發(fā)展初期,BIOS都存放在ROM(ReadOnlyMemy,只讀存儲器)中。ROM內部的資料是在ROM的制造工序中,在工廠里用特殊的方法被燒錄進去的,其中的內容只能讀不能改,一旦燒錄進去,用戶只能驗證寫入的資料是否正確,不能再作任何修改。如果發(fā)現資料有任何錯誤,則只有舍棄不用,重新訂做一份。ROM

3、是在生產線上生產的,由于成本高,一般只用在大批量應用的場合。ROM指的是“只讀存儲器”,即ReadOnlyMemy。這是一種線路最簡單半導體電路,通過掩模工藝,一次性制造,其中的代碼與數據將永久保存(除非壞掉),不能進行修改。這玩意一般在大批量生產時才會被用的,優(yōu)點是成本低、非常低,但是其風險比較大,在產品設計時,如果調試不徹底,很容易造成幾千片的費片,行內話叫“掩砸了”!由于ROM制造和升級的不便,后來人們發(fā)明了PROM(Progra

4、mmableROM,可編程ROM)。最初從工廠中制作完成的PROM內部并沒有資料,用戶可以用專用的編程器將自己的資料寫入,但是這種機會只有一次,一旦寫入后也無法修改,若是出了錯誤,已寫入的芯片只能報廢。PROM的特性和ROM相同,但是其成本比ROM高,而且寫入資料的速度比ROM的量產速度要慢,一般只適用于少量需求的場合或是ROM量產前的驗證。PROM指的是“可編程只讀存儲器”既ProgrammableRedOnlyMemy。這樣的產品只

5、允許寫入一次,所以也被稱為“一次可編程只讀存儲器”(OneTimeProgarmmingROM,OTPROM)。PROM在出廠時,存儲的內容全為1,用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0,則用戶可以將其中的部分單元寫入1),以實現對其“編程”的目的。PROM的典型產品是“雙極性熔絲結構”,如果我們想改寫某些單元,則可以給這些單元通以足夠大的電流,并維持一定的時間,原先的熔絲即可熔斷,這樣就達到了改寫

6、某些位的效果。另外一類經典的PROM為使用“肖特基二極管”的PROM,出廠時,其中的二極管處于反向截止狀態(tài),還是用大電流的方法將反相電壓加在“肖特基二極管”,造成其永久性擊穿即可。EPROM指的是“可擦寫可編程只讀存儲器”,即ErasableProgrammableReadOnlyMemy。它的特點是具有可擦除功能,擦除后即可進行再編程,但是缺點是擦除需要使用紫外線照射一定的時間。這一類芯片特別容易識別,其封裝中包含有“石英玻璃窗”,一

7、個編程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干膠紙蓋住,以防止遭到陽光直射。EPROM(ErasableProgrammableROM,可擦除可編程ROM)芯片可重復擦除和寫入,解者,但是iSuppli分析師認為,大批N供應商推出移動電話領域,并沒有足夠的N來填補。因為N供應商目前生產針對移動存儲市場的高密度器件,對移動電話使用較低密度N(即128Mb到1Gb)的供給正在萎縮,一旦可能,低密度N器件會抬高價格。NFlash的讀

8、取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣,用戶可以直接運行裝載在NFLASH里面的代碼,這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。NFlash沒有采取內存的隨機讀取技術,它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的,通常是一次讀取512個字節(jié),采用這種技術的Flash比較廉價。用戶不能直接運行NFlash上的代碼,因此好多使用NFlash的開發(fā)板除了使用NFlah以外,還作上了一塊小的NFlash來運行啟動代碼。一般小容量的用NFlash,因為其

9、讀取速度快,多用來存儲操作系統(tǒng)等重要信息,而大容量的用NFLASH,最常見的NFLASH應用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC(DiskOnChip)和我們通常用的“閃盤“,可以在線擦除。目前市面上的FLASH主要來自Intel,AMD,Fujitsu和Toshiba,而生產NFlash的主要廠家有Samsung和Toshiba。FLASH存儲器結合了ROM和RAM的長處,不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能,還不會斷電丟失數據,同時可

10、以快速讀取數據,BIOS、U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年里,嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM(EPROM)作為它們的存儲設備,然而近年來Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系統(tǒng)中的地位,用作存儲Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當硬盤使用(U盤)。N和N是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出Nflash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。特

11、點是芯片內執(zhí)行(XIP,eXecuteInPlace),這樣運用程序可以直接在flash閃存內運行,不必把代碼讀入到系統(tǒng)RAM中。N的傳輸效率高,但是寫入和擦除速度很慢。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了Nflash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。N結構提供高的單元密度,寫入和擦除的速度很快。難處在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。Flash可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任

12、何flash器件的寫入操作只能在空或者已擦除的單元內進行。故寫入操作前必須先執(zhí)行擦除。N器件擦除簡單,而N則要求進行擦除前先將目標快內所有的位寫為0。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清N和N閃存?!癴lash存儲器“經??梢耘c“N存儲器“互換使用。許多業(yè)內人士也搞不清楚N閃存技術相對于N技術的優(yōu)越之處,因為大多數情況下閃存只是用來存儲少量的代碼,這時N閃存更適合一些。而N則是高數據存儲密度的理想解決方案。兩者的比較如下

13、:對比如下:●N內的代碼可以直接執(zhí)行,讀取速度快,常存儲操作系統(tǒng)等;N內的代碼則需要額外的RAM;●N的存儲密度高,并且寫入和擦除的速度也很快(N的4ms擦除速度遠比N的5s快。);●N的擦除單元更小,相應的擦除電路更少?!馧以大容量為主流(8~128MB),N以小容量為主流(1~16MB)。具體介紹如下:N是現在市場上主要的非易失閃存技術。N一般只用來存儲少量的代碼;N主要應用在代碼存儲介質中。N的特點是應用簡單、無需專門的接口電路、

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