存儲器類型

1、存儲器類型：存儲器類型：ROM也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可編程ROM）兩者區(qū)別是，PROM是一次性的，也就是軟件灌入后，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦除原先的程序，是一種通用的存儲器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。舉個例子，手機軟件一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最后撥打的號碼，暫時是存在SRA

2、M中的，不是馬上寫入通話記錄（通話記錄保存在EEPROM中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。微機的發(fā)展初期，BIOS都存放在ROM（ReadOnlyMemy，只讀存儲器）中。ROM內部的資料是在ROM的制造工序中，在工廠里用特殊的方法被燒錄進去的，其中的內容只能讀不能改，一旦燒錄進去，用戶只能驗證寫入的資料是否正確，不能再作任何修改。如果發(fā)現資料有任何錯誤，則只有舍棄不用，重新訂做一份。ROM

3、是在生產線上生產的，由于成本高，一般只用在大批量應用的場合。ROM指的是“只讀存儲器”，即ReadOnlyMemy。這是一種線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝，一次性制造，其中的代碼與數據將永久保存(除非壞掉)，不能進行修改。這玩意一般在大批量生產時才會被用的，優(yōu)點是成本低、非常低，但是其風險比較大，在產品設計時，如果調試不徹底，很容易造成幾千片的費片，行內話叫“掩砸了”！由于ROM制造和升級的不便，后來人們發(fā)明了PROM（Progra

4、mmableROM，可編程ROM）。最初從工廠中制作完成的PROM內部并沒有資料，用戶可以用專用的編程器將自己的資料寫入，但是這種機會只有一次，一旦寫入后也無法修改，若是出了錯誤，已寫入的芯片只能報廢。PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且寫入資料的速度比ROM的量產速度要慢，一般只適用于少量需求的場合或是ROM量產前的驗證。PROM指的是“可編程只讀存儲器”既ProgrammableRedOnlyMemy。這樣的產品只

5、允許寫入一次，所以也被稱為“一次可編程只讀存儲器”(OneTimeProgarmmingROM，OTPROM)。PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1)，以實現對其“編程”的目的。PROM的典型產品是“雙極性熔絲結構”，如果我們想改寫某些單元，則可以給這些單元通以足夠大的電流，并維持一定的時間，原先的熔絲即可熔斷，這樣就達到了改寫

6、某些位的效果。另外一類經典的PROM為使用“肖特基二極管”的PROM，出廠時，其中的二極管處于反向截止狀態(tài)，還是用大電流的方法將反相電壓加在“肖特基二極管”，造成其永久性擊穿即可。EPROM指的是“可擦寫可編程只讀存儲器”，即ErasableProgrammableReadOnlyMemy。它的特點是具有可擦除功能，擦除后即可進行再編程，但是缺點是擦除需要使用紫外線照射一定的時間。這一類芯片特別容易識別，其封裝中包含有“石英玻璃窗”，一

7、個編程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干膠紙蓋住，以防止遭到陽光直射。EPROM（ErasableProgrammableROM，可擦除可編程ROM）芯片可重復擦除和寫入，解者，但是iSuppli分析師認為，大批N供應商推出移動電話領域，并沒有足夠的N來填補。因為N供應商目前生產針對移動存儲市場的高密度器件，對移動電話使用較低密度N(即128Mb到1Gb)的供給正在萎縮，一旦可能，低密度N器件會抬高價格。NFlash的讀

8、取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NFLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。NFlash沒有采取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個字節(jié)，采用這種技術的Flash比較廉價。用戶不能直接運行NFlash上的代碼，因此好多使用NFlash的開發(fā)板除了使用NFlah以外，還作上了一塊小的NFlash來運行啟動代碼。一般小容量的用NFlash，因為其

9、讀取速度快，多用來存儲操作系統(tǒng)等重要信息，而大容量的用NFLASH，最常見的NFLASH應用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC（DiskOnChip）和我們通常用的“閃盤“，可以在線擦除。目前市面上的FLASH主要來自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生產NFlash的主要廠家有Samsung和Toshiba。FLASH存儲器結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數據，同時可

10、以快速讀取數據，BIOS、U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年里，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲設備，然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統(tǒng)中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當硬盤使用（U盤）。N和N是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出Nflash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。特

11、點是芯片內執(zhí)行(XIP，eXecuteInPlace)，這樣運用程序可以直接在flash閃存內運行，不必把代碼讀入到系統(tǒng)RAM中。N的傳輸效率高，但是寫入和擦除速度很慢。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了Nflash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。N結構提供高的單元密度，寫入和擦除的速度很快。難處在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。Flash可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任

12、何flash器件的寫入操作只能在空或者已擦除的單元內進行。故寫入操作前必須先執(zhí)行擦除。N器件擦除簡單，而N則要求進行擦除前先將目標快內所有的位寫為0。但是經過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清N和N閃存?！癴lash存儲器“經?？梢耘c“N存儲器“互換使用。許多業(yè)內人士也搞不清楚N閃存技術相對于N技術的優(yōu)越之處，因為大多數情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時N閃存更適合一些。而N則是高數據存儲密度的理想解決方案。兩者的比較如下

13、：對比如下：●N內的代碼可以直接執(zhí)行，讀取速度快，常存儲操作系統(tǒng)等；N內的代碼則需要額外的RAM；●N的存儲密度高，并且寫入和擦除的速度也很快（N的4ms擦除速度遠比N的5s快。）；●N的擦除單元更小，相應的擦除電路更少?！馧以大容量為主流（8～128MB），N以小容量為主流（1～16MB）。具體介紹如下：N是現在市場上主要的非易失閃存技術。N一般只用來存儲少量的代碼；N主要應用在代碼存儲介質中。N的特點是應用簡單、無需專門的接口電路、