深亞微米級(jí)集成電路早期失效檢測(cè)的研究.pdf

1、隨著信息技術(shù)的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體集成電路成為戰(zhàn)略武器系統(tǒng)、航空航天電子設(shè)備、工業(yè)控制等科技領(lǐng)域的核心部件，因此其可靠性就成為衡量集成電路的關(guān)鍵指標(biāo)，其重要性甚至不亞于集成電路的電氣性能指標(biāo)。
　　 Burn-in檢測(cè)是目前電子類產(chǎn)品檢測(cè)中最為重要的一項(xiàng)程序，它的主要作用就是篩選出具有缺陷和潛在缺陷的產(chǎn)品，防止產(chǎn)品出現(xiàn)早期失效，提高產(chǎn)品的可靠性。本論文主要以汽車電子為例，對(duì)該類芯片的可靠性問題做了深入研究。針對(duì)Burn-in技術(shù)的不

2、足之處做了分析和改進(jìn)，并設(shè)計(jì)兩種檢測(cè)效率更高，檢測(cè)成本更低的測(cè)試方法，然后通過大量的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)驗(yàn)證了這兩種方法的可行性和實(shí)用性。
　　 一.為解決Burn-in設(shè)備昂貴，測(cè)試時(shí)間長，測(cè)試成本高等問題，設(shè)計(jì)了利用IDDQ電流測(cè)試原理進(jìn)行片內(nèi)測(cè)試的方法，經(jīng)過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了IDDQ片內(nèi)測(cè)試可以比片外測(cè)試具有更好的測(cè)試覆蓋率，更快的測(cè)試速度以及更精確的測(cè)試結(jié)果。
　　 二.針對(duì)集成電路集成密度更高，功能越多的趨勢(shì)，設(shè)計(jì)了一種新的測(cè)試方