MOS電容高頻C-V測(cè)試平臺(tái)及SiGe PMOSFET閾值電壓研究.pdf

1、MOS電容高頻C-V特性測(cè)量廣泛應(yīng)用于全球的半導(dǎo)體制造行業(yè)和研究單位，為研究半導(dǎo)體表面的特性提供了一個(gè)非常有力的手段；SiGe 材料由于具有遷移率高、禁帶寬度小，與CMOS工藝具有較好的工藝兼容性等優(yōu)點(diǎn)，成為制作高頻、低溫、低功耗器件的理想半導(dǎo)體材料。
　　 本文的主要任務(wù)是設(shè)計(jì)了一個(gè)MOS電容高頻C-V特性的測(cè)試平臺(tái)。結(jié)合本專業(yè)本科生專業(yè)實(shí)驗(yàn)課的實(shí)際情況，本文運(yùn)用模塊化的設(shè)計(jì)思想，本著結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、元器件方便購買的原則，

2、設(shè)計(jì)了一種MOS電容高頻C-V測(cè)試平臺(tái)的硬件電路，包括其中的高頻信號(hào)產(chǎn)生模塊、電容檢測(cè)模塊、濾波模塊、檢波模塊、電源模塊等5個(gè)主要的功能模塊電路，最后結(jié)合USB7333B多功能數(shù)據(jù)采集卡，將本測(cè)試平臺(tái)調(diào)試成功。測(cè)試結(jié)果表明，在一定精度范圍下，本測(cè)試平臺(tái)能夠?qū)OS電容高頻C-V特性進(jìn)行有效測(cè)量。
　　 本文還建立了應(yīng)變SiGe溝道PMOSFET的閾值電壓模型。首先建立了應(yīng)變SiGe溝道 PMOSFET的一維閾值電壓模型。在此基礎(chǔ)