同質(zhì)復合柵MOSFET閾值電壓及電阻溫度效應的研究.pdf

1、隨著器件尺寸的縮小,寄生電阻對器件性能的影響不可忽視,為準確預測器件的寄生電阻并了解器件參數(shù)對寄生電阻的影響,需要有準確的寄生電阻模型。
　　本文第二章分析了短溝道寄生電阻模型,研究了短溝道寄生電阻模型在柵壓較小時與模擬結(jié)果存在較大誤差的原因,并對模型進行了改進。最后分析了器件參數(shù)對寄生電阻的影響,提出未來減小寄生電阻需要和可能采取的措施。
　　本文提出了一種新型的同質(zhì)復合柵MOSFET結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)采用了柵工程的概念,所設計的

2、柵由S-gate和D-gate兩塊并列組成,S-gate用高功函數(shù)p+多晶硅,D-gate用低功函數(shù)n+多晶硅。在復合多晶硅柵的實現(xiàn)工藝上,本文采用了一種補償注入的方法,只需利用一塊S-gate掩模板就可形成復合柵電極結(jié)構(gòu),工藝簡單可行。鑒于同質(zhì)復合柵MOSFET的電特性很多,本文第三章主要討論其電阻效應。方法是通過研究溫度對LDDMOS電阻中各參數(shù)的影響,確定了受溫度影響較大的參數(shù),建立了模型,并用MEDICI的仿真結(jié)果進行比較,驗證