Si基Ge溝道MOSFET閾值電壓模型研究.pdf

1、閾值電壓是MOSFET的特別重要參數(shù)之一，閾值電壓會直接影響到器件溝道的反型和器件的工作電壓。對于小尺寸的器件來說，如果溝道摻雜過重，這會導(dǎo)致閾值電壓升高，器件的功耗會增大，會很大程度上降低器件的可靠性。而且，隨著溝道長度和柵氧化物厚度的減小，柵控電荷也會隨著他們的減小而減少，從而會出現(xiàn)顯著的短溝道效應(yīng)，從而也會嚴重影響閾值電壓，因此建立有效和合理的閾值電壓模型對MOS器件的設(shè)計和制備都是很必要的。
　　 目前對Si基Ge溝道M

2、OS器件的研究主要有埋層Ge溝道和表面Ge溝道的MOSFET，器件大都是以SiGe緩沖層作為虛擬襯底。國外有對Si基Ge溝道MOSFET的實驗研究，但有關(guān)器件模型的研究較少，特別是有關(guān)閾值電壓模型的研究國內(nèi)外尚未見報道。本文首先通過求解泊松方程，在綜合考慮短溝道效應(yīng)和漏致勢壘降低效應(yīng)對閾值電壓的影響的基礎(chǔ)上，得出了Si基表面Ge溝道pMOSFET的閾值電壓模型，模型計算的結(jié)果與實驗數(shù)據(jù)吻合良好。然后利用本文建立的模型分析了器件的各種參數(shù)