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文檔簡介
1、該文主要采用經驗緊束縛近似方法討論了p(2×2)重構Si(100)清潔表面及缺陷和微結構(包括雙聚體空位、臺階、扭結)附近附加硅(單個硅原子及單個硅雙聚體)的沉積擴散情況.通過比較附加硅在不同具體表面上不同位置沉積時的沉積能量差異,獲得了附加硅在所研究區(qū)域內的沉積束縛點、鞍點和可能的擴散路徑,詳細分析了附加硅在這些缺陷及微結構附近的沉積擴散行為,對比研究了缺陷及微結構對于附加硅生長的影響作用,并且估算了相關過程發(fā)生需要的實驗溫度.在清潔
2、的表面上,附加原子的擴散有強烈的各向異性,這種各向異性由于雙聚體空位缺陷的引入而降低.盡管單個附加原子容易進入雙聚體空位內部,但也很容易逃離,因而不能有效地填充缺陷.在B型單層臺階附近,附加原子由上而下或由下而上的兩個方向擴散都比較容易,而且比較容易沉積于臺階邊壁或扭結處以形成晶體生長.附加硅雙聚體在表面的行為與單個附加硅原子的不同:在清潔表面,單個附加雙聚體比較容易形成A1穩(wěn)態(tài)及A2亞穩(wěn)態(tài),并在兩態(tài)之間跳躍,表現為附加雙聚體的旋轉;在
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