硅表面納米金屬薄膜的制備與表面形態(tài)分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、 本論文用化學鍍技術，在單晶硅表面構建了納米尺度的金屬薄膜，利用電化學陽極溶出法(ASV)，開路電位～時間曲線法(OCP-t)，掃描隧道顯微鏡(STM)，原子力顯微鏡(AFM)，X射線光電子能譜(XPS)，X射線能量色散譜(EDX)，X射線衍射(XRD)等方法對薄膜的制備以及其成核機理進行了研究和表征，實現(xiàn)了由“材料制備”到“材料分析”的交叉、配套性研究。 主要內容包括：用循環(huán)伏安法對經(jīng)化學刻蝕與未經(jīng)化學刻蝕的單晶硅片在Ag(NH

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