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文檔簡(jiǎn)介
1、當(dāng)面對(duì)更大尺寸的硅片和更小的特征尺寸器件時(shí)，硅片上溫度的微小變化，所造成的溫度不均勻度，就會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品合格率的降低，論文提出快速熱退火溫度均勻性的解決方案。
在闡述原理的基礎(chǔ)上，通過(guò)ASMC制造工藝流程中應(yīng)用的實(shí)例，選取不同劑量，不同能量，不同雜質(zhì)離子作為工藝條件，在純氮?dú)獾墓に嚉夥罩羞M(jìn)行不同溫度的熱退火，以尋找適合RTP(快速熱退火)設(shè)備日常監(jiān)控溫度變化最敏感的工藝條件。
生產(chǎn)實(shí)際中發(fā)現(xiàn)LPNP(橫向PNP管
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