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文檔簡介
1、該文對深亞微米源漏擴(kuò)展MOS器件結(jié)構(gòu)及其可靠性進(jìn)行了深入研究,首先通過仿真驗(yàn)證了源漏擴(kuò)展(SDE)結(jié)構(gòu)對短溝道效應(yīng)的抑制,SDE區(qū)寄生電阻對器件性能的影響以及SDE區(qū)摻雜濃度的提高對器件性能的改善,指出了器件尺寸進(jìn)一步減小后,提高源漏擴(kuò)展區(qū)摻雜濃度的必要性.論文的重點(diǎn)是研究SDEMOS器件的熱載流子可靠性,研究發(fā)現(xiàn)SDEMOD器件的退化特性與常規(guī)器件不同,通過實(shí)驗(yàn)與模擬相結(jié)合的方法,指出SDEMOS器件退化呈現(xiàn)出不同特點(diǎn)的內(nèi)在原因,并給
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