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文檔簡介
1、隨著VLSI制造技術(shù)向深亞微米方向快速發(fā)展，熱載流子效應(yīng)導(dǎo)致了MOSFET電路系統(tǒng)的可靠性問題。本文所研究的LDD MOSFET器件是深亞微米器件可靠性加固的理想結(jié)構(gòu)，能夠有效抑制熱載流子效應(yīng)。 本文在典型短溝MOSFET器件模型基礎(chǔ)上建立了適用于深亞微米LDD MOSFET的簡捷模型。從熱載流子的產(chǎn)生和注入機(jī)制入手，分析了在不同偏置下的熱載流子效應(yīng)，并且在幸運(yùn)電子模型的基礎(chǔ)上導(dǎo)出了柵電流模型。重點(diǎn)分析了襯底電流的機(jī)理，在I-V
2、特性模型的基礎(chǔ)上建立了適用于LDD MOSFET器件的襯底電流模型，其中對特性長度這一非常重要的參數(shù)做了改進(jìn)描述，使之更適合分析薄柵深亞微米器件的襯底電流特性。本文對LDD MOSFET器件進(jìn)行了仿真分析，探討了LDD MOSFET器件工藝參數(shù)對熱載流子效應(yīng)的影響。提出了LDD MOSFET器件熱載流子退化的物理解釋，并進(jìn)行了DAHC和CHC應(yīng)力條件研究。最后通過對DD MOSFET延伸結(jié)構(gòu)的熱載流子研究，探討了不同器件結(jié)構(gòu)對器件可靠性
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