大規(guī)?；ミB結(jié)構(gòu)電容快速提取算法的分析.pdf

1、隨著高性能集成電路技術(shù)和集成電路封裝技術(shù)的發(fā)展,精確快速提取電容參數(shù)對(duì)數(shù)模混合集成電路芯片的延遲性和信號(hào)完整性分析越來越重要。邊界元方法(BEM)的優(yōu)勢(shì)是變量少,精度高,能適應(yīng)處理復(fù)雜的結(jié)構(gòu)等,邊界元方法是很多電容提取算法的基礎(chǔ)。邊界元方法的關(guān)鍵是對(duì)稠密線性系統(tǒng)的存儲(chǔ)和求解,但是構(gòu)造稠密矩陣的消耗代價(jià)很大,這就限制了分析問題的復(fù)雜性。
　　 本文提出利用多層UV方法(MLUV)加速均勻介質(zhì)下間接邊界元法提取電容,該方法是基于低秩

2、分解的方法,主要包含了通過對(duì)遠(yuǎn)互作用快速均勻采樣建立矩陣U和V,從而對(duì)整個(gè)阻抗矩陣實(shí)現(xiàn)了離散和分解。通過三個(gè)基本互連結(jié)構(gòu)如3×3互連結(jié)構(gòu),交叉指型,螺旋管電感結(jié)構(gòu)來驗(yàn)證該方法在一定的精度內(nèi)可高效快速提取電容參數(shù)。
　　 針對(duì)互連結(jié)構(gòu)不斷地向高集成化、大規(guī)?；l(fā)展,本文提出了使用基于低秩分解的多層矩陣壓縮方法(MLMCM)解決三維幾何結(jié)構(gòu)中的互耦電容提取的靜態(tài)問題。該方法將阻抗矩陣分解為三個(gè)矩陣,分別為矩陣U、V和D,該方法對(duì)計(jì)算

3、區(qū)域進(jìn)行分層劃分加速迭代求解中的矩陣矢量乘時(shí)間,它的構(gòu)建填充與積分核(格林函數(shù))無關(guān)。給出三個(gè)算例如5×5編織互連結(jié)構(gòu),20×20大規(guī)模互連結(jié)構(gòu),隨機(jī)分布互連結(jié)構(gòu),MLMCM算法的內(nèi)存需求和計(jì)算時(shí)間復(fù)雜度是O(N)。
　　 在電路設(shè)計(jì)中互連線不僅僅分布在均勻介質(zhì)中,同時(shí)也會(huì)分布在分層介質(zhì)中。本文提出利用多層UV方法(MLUV)加速分層介質(zhì)下間接邊界元法提取電容,考慮到介質(zhì)層對(duì)互連線寄生電容的影響,引入介質(zhì)交界面等效電荷。根據(jù)介質(zhì)