冷等離子體法制備氮化硅以及磷和硼摻雜的鍺納米顆粒.pdf

1、冷等離子體法制備納米顆粒具有粒徑小、粒徑分布窄、晶態(tài)可調(diào)、化學(xué)成分可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)。因而冷等離子體法成為合成納米顆粒的一種越來越重要的途徑。鑒于氮化硅納米顆粒和鍺(Ge)納米顆粒有很廣闊的應(yīng)用前景，本論文利用冷等離子體法制備了氮化硅納米顆粒、磷(P)摻雜Ge納米顆粒和硼(B)摻雜Ge納米顆粒。
　　本文利用冷等離子體法制備的氮化硅納米顆粒的粒徑為12nm;它的粒徑分布符合正態(tài)分布，粒徑分布的標(biāo)準(zhǔn)偏差為2.3nm。并且通過調(diào)節(jié)硅烷和氨氣的

2、氣體流量比，我們得到了硅氮比為0.7384的氮化硅納米顆粒，這個硅氮比接近氮化硅的化學(xué)計量比3∶4。本文還利用硅氮比為0.7384的氮化硅納米顆粒成膜，結(jié)果發(fā)現(xiàn)氮化硅納米顆粒在水中的溶解性很好，從而得到致密性很好的氮化硅薄膜。
　　本文利用冷等離子體法制備了粒徑為8.2 nm、粒徑分布標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.2 nm的不同摻P濃度的Ge納米顆粒和粒徑為7.7 nm、粒徑分布的標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.7 nm的不同摻B濃度的Ge納米顆粒。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，P和