深亞微米GGNMOS的ESD防護(hù)特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、 隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，新工藝不斷出現(xiàn)，特征尺寸不斷減小，ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計面臨更多挑戰(zhàn)。因此深入研究 GGNMOS ESD 防護(hù)特性及其影響因素成為必要。
本文利用混合仿真方法對 GGNMOS 器件在 ESD 脈沖下的瞬態(tài)特性進(jìn)行了仿真分析和研究。分析表明，ESD 脈沖參數(shù)對防護(hù)特性的影響不可忽略，大的 dV/dt對柵氧化層的可靠性造成威脅，同時也極大地影響了過沖電壓，論文研究并總結(jié)得到脈沖參數(shù)的影響規(guī)律；另外，

2、通過改變深亞微米工藝條件和器件結(jié)構(gòu)尺寸，分別研究了二者對 GGNMOS ESD 防護(hù)特性的影響及作用機(jī)理，提出設(shè)計策略。文中還使用正交試驗(yàn)的方法分析了器件結(jié)構(gòu)尺寸對防護(hù)特性的影響程度，結(jié)合分析結(jié)果給出了 GGNMOS 的 ESD 防護(hù)特性優(yōu)化方案。
脈沖參數(shù)對防護(hù)特性影響規(guī)律的提出可以為 ESD 測試實(shí)驗(yàn)的條件設(shè)置和標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范提供依據(jù)，完整的瞬態(tài)響應(yīng)機(jī)制分析使得 ESD 保護(hù)研究者對 GGNMOS 在 ESD情形下的物理機(jī)制

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