2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、隨著深亞微米等高科技技術的發(fā)展,存儲器在SoC以及所有集成電路產(chǎn)品中所占的地位變得越來越重要。存儲器芯片的容量變得越來越大,集成度也越來越高,使得存儲器內(nèi)部的晶體管以及其他部件越來越密集。正是由于存儲器的高布線的密度、高復雜度和高工作頻率這些因素,使得存儲器芯片更容易發(fā)生各種各樣的物理故障或者缺陷。存儲器其結構的特殊性決定了該類芯片不能采用傳統(tǒng)的直接物理檢測。比較可行的辦法就是對存儲單元的狀態(tài)進行不斷的讀寫,然后與正確的存儲單元的狀態(tài)進

2、行對比和比較,這樣做就可以使得故障的物理表現(xiàn)形式轉化為邏輯顯示的形式。面對越來越多的測試需求,開發(fā)出高效的測試算法成為當下的研究熱點。
  本文分析了存儲器中常見的靜態(tài)和動態(tài)故障的故障原理,并給出了測試每種故障的March元素;對于目前最為流行的幾種經(jīng)典March算法,本文著重分析了能夠覆蓋所有簡單靜態(tài)故障的March SS算法的測試原理;有了以上兩點作為理論基礎,同時考慮到目前還沒有任何一種算法能夠覆蓋所有的靜態(tài)和動態(tài)故障,本文

3、改進March SS算法,得到了可以覆蓋所有靜態(tài)和動態(tài)故障的March SD算法。該算法故障覆蓋率高,測試復雜度較低,對進一步提高芯片的良品率,降低芯片測試時間和成本有著十分重要的意義。
  為了驗證March SD算法的測試性能和效率,本文還給出了存儲器測試儀的設計與實現(xiàn),該測試儀可以適用于所有March算法的測試。整體架構采用目前較為流行的虛擬儀器設計技術,底層采用FPGA邏輯電路來實現(xiàn)對存儲器芯片的矢量施加和結果返回,上位機

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