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1、隨著集成電路設(shè)計(jì)和制造技術(shù)的不斷進(jìn)步,芯片的集成度和復(fù)雜度正按照摩爾定律的速度持續(xù)提高。尤其是超深亞微米(VDSM)工藝的使用,生產(chǎn)過程中出現(xiàn)的故障也越來越多樣、難測(cè)。芯片測(cè)試遇到了前所未有的挑戰(zhàn),已成為制約整個(gè)行業(yè)發(fā)展的瓶頸。在這種情況下,從故障類型、測(cè)試設(shè)備及測(cè)試成本考慮,可測(cè)性設(shè)計(jì)(DFT)技術(shù)成為解決芯片測(cè)試問題的主要手段之一,日益引起人們的重視。 論文主要針對(duì)嵌入式系統(tǒng)隨機(jī)存儲(chǔ)器的測(cè)試,研究解決辦法。首先,介紹了數(shù)字集
2、成電路和存儲(chǔ)器及測(cè)試技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀、趨勢(shì)。論述了存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)、分類、故障模式和故障模型。然后,研究分析了存儲(chǔ)器測(cè)試的方法,產(chǎn)生測(cè)試圖形的各種測(cè)試生成算法,按圖形的測(cè)試長度與存儲(chǔ)單元大小關(guān)系分類舉例介紹。這些測(cè)試算法,復(fù)雜程度不同,故障覆蓋率也不同。詳細(xì)分析了March算法,并將其擴(kuò)展成能面向字存儲(chǔ)器測(cè)試的算法。 內(nèi)建自測(cè)試(Built-In-Self-Tcst,BIST)技術(shù)被認(rèn)為是解決由于電路集成度越來越大所造成的測(cè)試費(fèi)用巨
3、大和測(cè)試訪問困難等問題的最有希望的技術(shù)。本文針對(duì)存儲(chǔ)器測(cè)試采用MBIST。MBIST是目前大規(guī)模存儲(chǔ)器測(cè)試最通用的方法,該方法將BIST邏輯電路嵌入芯片內(nèi)部,實(shí)現(xiàn)片上BIST結(jié)構(gòu),本文實(shí)現(xiàn)了BIST電路的控制器、地址產(chǎn)生器、向量生成器、響應(yīng)分析器等電路,最終實(shí)現(xiàn)片上自動(dòng)測(cè)試存儲(chǔ)器。本文采用VHDL程序仿真BIST結(jié)構(gòu),并仿真一個(gè)隨機(jī)存儲(chǔ)器,將各種故障加入其中,采用March C算法,結(jié)果表明該方法能覆蓋多數(shù)故障,從而驗(yàn)證基于March算
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