65nm NOR Flash工藝整合技術(shù)研究.pdf

1、1984年，東芝公司發(fā)明人Fujio Masuoka提出了快速閃存存儲器這一概念。1988年Intel首先開發(fā)出NOR Flash技術(shù)后，閃存存儲器其具有功耗低，讀寫快，容量大，成本低等優(yōu)點，使得NOR和NAND成為了目前市場上兩種主要的閃存產(chǎn)品，被廣泛應(yīng)用于各種嵌入式系統(tǒng)。隨著消費者對產(chǎn)品的尺寸的要求越來越高，功能越來越強，越來越多，由此對加快提升芯片整合技術(shù)的能力，用來提高產(chǎn)品性價比成了目前制造業(yè)的主要任務(wù)和挑戰(zhàn)。同時也帶動了浮柵結(jié)

2、構(gòu)的非易失性存儲器NOR Flash記憶體芯片的迅速成長。
　　一直以來，半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展都遵循著著名的Moore定律。即硅芯片集成的晶體管數(shù)目，每過18個月就會翻一倍。微電子器件尺寸都按比例在縮小，它帶動了整個電子裝備向小型化的方向發(fā)展。目前，業(yè)界對非易失性半導(dǎo)體存儲器研發(fā)趨勢主要是集中在兩個方面，一方面是，研發(fā)應(yīng)用新機理、新材料和新結(jié)構(gòu)的全新存儲技術(shù);另一方面是，繼續(xù)研發(fā)和改進發(fā)展主流的Flash存儲技術(shù)，盡可能的向更小節(jié)

3、點推進。
　　NOR Flash現(xiàn)在技術(shù)已經(jīng)開始進入了45nm NOR Flash的技術(shù)節(jié)點時代了，65nm NOR Flash大規(guī)模量產(chǎn)成為了現(xiàn)在市場的迫切需求。對制造行業(yè)來說要實現(xiàn)量產(chǎn)有很多的挑戰(zhàn)，需要不斷提升工藝的潛能來達到最大化的良率。本課題選擇了65nm NOR Flash技術(shù)，進行了整合工藝的研究。
　　本論文共分五章，首先大體上介紹存儲器的發(fā)展和現(xiàn)狀，然后對NOR Flash的基本結(jié)構(gòu)和工作原理以及NOR Fl