基于65nm工藝新型SRAM存儲單元設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、靜態(tài)隨機存儲器(static random access memory，SRAM)具有可靠性高、存取速度快及能夠和邏輯電路相兼容的特點，使得它在高性能處理器和片上系統(tǒng)(system on chip，SOC)結(jié)構(gòu)中占據(jù)了重要的地位。對SRAM存儲單元的研究具有十分重要的意義。
　　本文以低功耗、高穩(wěn)定性和較好的讀寫能力的SRAM存儲單元為設(shè)計目標，提出了一種新型SRAM十二管存儲單元結(jié)構(gòu)，和傳統(tǒng)SRAM單元相比，新型存儲單元結(jié)構(gòu)提高

2、了寫裕度，讀穩(wěn)定性，同時解決了半選問題。本文主要研究工作如下:
　　首先研究了傳統(tǒng)六管、四管、七管和八管存儲單元，分析了它們在讀、寫和保持狀態(tài)下工作原理和優(yōu)缺點。并對他們的性能做了簡單對比，從結(jié)構(gòu)上給出了性能差異的原因。
　　其次，隨著工藝制程技術(shù)提高、電源電壓的下降以及存儲容量的增大，SRAM存儲單元的軟錯誤率越來越高，SRAM存儲陣列在設(shè)計中廣泛采用了位交錯技術(shù)來解決軟錯誤問題，但是位交錯結(jié)構(gòu)會帶來半選問題。本文分析半選

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