4H-SiC輻照損傷分子動力學(xué)模擬初步研究.pdf

1、核技術(shù)的成敗取決于材料在反應(yīng)堆強(qiáng)輻射場下的行為。作為核聚變堆候選材料,SiCf/SiC(SiC連續(xù)纖維增強(qiáng)SiC陶瓷基復(fù)合材料)已逐漸被先進(jìn)核能系統(tǒng)接受,其抗輻照性能也正被廣泛研究。本文主要目的是采用分子動力學(xué)方法研究單晶SiC的輻照行為,目的是為SiCf/SiC復(fù)合材料提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)支持和理論參考。
　　本文使用基于分子動力學(xué)方法的LAMMPS軟件,建立4H-SiC單晶塊體的分子動力學(xué)模型,在原子尺度上對密排六方結(jié)構(gòu)4H-SiC的

2、輻照級聯(lián)碰撞過程進(jìn)行計算模擬,研究輻照級聯(lián)中微觀結(jié)構(gòu)演變過程,探索輻照條件對各種點(diǎn)缺陷的影響規(guī)律。本文采用能量為10keV的Si初始離位原子作為入射粒子,輻照級聯(lián)模擬結(jié)果與文獻(xiàn)模擬結(jié)果吻合。此外,本文中也研究了一些可能影響輻照級聯(lián)的相關(guān)參數(shù),如時間步長、輻照溫度、PKA原子入射能量和入射方向并得到了相關(guān)結(jié)論。
　　基于上述4H-SiC單晶塊體模型,本文研究了輻照對4H-SiC單晶塊體模型力學(xué)性能的影響。結(jié)果表明不同拉伸方向上均可以